Priority of domain wall pinning during the fatigue period in bismuth titanate ferroelectric thin films

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 19, 2005, Pages 1-3

  Li, Wei ^a   Chen, Aiping ^a   Lu, Xiaomei ^a   Zhu, Jinsong ^a   Wang, Yening ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISMUTH COMPOUNDS; CONCENTRATION (PROCESS); CRYSTALLIZATION; CURRENT DENSITY; FATIGUE OF MATERIALS; FERROELECTRIC MATERIALS; LIGHT POLARIZATION; REACTION KINETICS; SWITCHING CIRCUITS;

DOMAIN GROWTH; DOMAIN WALL; FATIGUE PERIOD; SWITCHING CURRENT;

THIN FILMS;

EID: 20844433707     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1925308     Document Type: Article

References (46)

1. S. E. Cummins and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 39, 2268 (1968).
2. P. C. Joshi and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 62, 1928 (1993).
3. H. Maiwa, N. Lizawa, D. Togawa, T. Hayashi, W. Sakamoto, M. Yamada, and S. Hirano, Appl. Phys. Lett. 82, 1760 (2003).
4. U. Chon, K. B. Kim, H. M. Jang, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 79, 3137 (2001);
5. U. Chon and J. S. Shim, J. Appl. Phys. 93, 4769 (2003).
6. K. T. Kim, C. I. Kim, D. H. Kang, and I. W. Shim, Thin Solid Films 422, 230 (2002).
7. R. Ramesh, J. Lee, T. Sands, V. G. Keramidas, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 64, 2511 (1994).
8. H. N. Al-Shareef, K. R. Bellur, A. I. Kingon, and O. Auciello, Appl. Phys. Lett. 66, 239 (1995).
9. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, R. W. Schwartz, P. J. Clew, and D. C. Mclntyre, J. Appl. Phys. 77, 6695 (1995).
10. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999);
11. B. H. Park, S. J. Hyun, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, H. D. Kim, T. H. Kim, and W. Jo, Appl. Phys. Lett. 74, 1907 (1999).
12. Y. Noguchi and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 78, 1903 (2001).
13. X. S. Wang and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 82, 2479 (2003).
14. M. W. Chu, M. Ganne, M. T. Caldes, and L. Brohan, J. Appl. Phys. 91, 3178 (2002);
15. M. W. Chu, M. Ganne, M. T. Caldes, and L. Brohan, Phys. Rev. B 68, 014102 (2003);
16. M. W. Chu, S. K. Lee, D. Hesse, and U. Gosele, Appl. Phys. Lett. 85, 2029 (2004).
17. Y. Ding, J. S. Liu, H. X. Qin, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 4175 (2001);
18. Y. Ding, J. S. Liu, I. MacLaren, and Y. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 1015 (2001).
19. Y. Y. Yao, C. H. Song, P. Bao, D. Su, X. M. Lu, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, J. Appl. Phys. 95, 3126 (2004).
20. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
21. D. Su, Y. Ding, J. S. Zhu, Y. Y. Yao, P. Bao, J. S. Liu, and Y. N. Wang, J. Phys.: Condens. Matter 16, 4549 (2004);
22. D. Su, J. S. Zhu, Y. N. Wang, Q. Y. Xu, and J. S. Liu, J. Appl. Phys. 93, 4784 (2003).
23. W. Li, K. Chen, Y. Y. Yao, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, 4717 (2004).
24. X. B. Chen, F. Yan, C. H. Li, Z. G. Zhang, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 76, 369 (2000).
25. W. Li, P. Bao, X. M. Lu, J. S. Zhu, and Y. N. Wang, J. Phys. D 37, L29 (2004).
26. M. Avrami, J. Chem. Phys. 7, 1103 (1939);
27. M. Avrami, J. Chem. Phys. 8, 212 (1940);
28. M. Avrami, J. Chem. Phys. 9, 177 (1941).
29. K. Dimmler, M. Parris, D. Butler, S. Eaton, B. Pouligny, J. F. Scott, and Y. Ishibashi, J. Appl. Phys. 61, 5467 (1985);
30. J. F. Scott, L. Kammerdiner, M. Parris, S. Traynor, V. Ottenbacher, A. Shewabkeh, and W. F. Oliver, J. Appl. Phys. 64, 787 (1988).
31. Y. Ishibashi and Y. Takagi, J. Phys. Soc. Jpn. 0031-9015 31, 506 (1971); Y. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 4148 (1990).
32. Y. Ishibashi and Y. Takagi, J. Phys. Soc. Jpn. 0031-9015 31, 506 (1971); Y. Ishibashi, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 4148 (1990).
33. H. J. Joo, S. H. Lee, J. P. Kim, M. K. Ryu, T. G. Kim, D. H. Kim, and M. S. Jang, Ferroelectrics 260, 93 (2001).
34. V. Shur, E. Rumyantsev, and S. Makarov, J. Appl. Phys. 84, 445 (1998);
35. V. Y. Shur, S. D. Makarov, N. Y. Ponomarev, V. V. Volegov, N. A. Tonkachyova, L. A. Suslov, N. N. Salashchenko, and E. V. Kluenkov, Microelectron. Eng. 29, 153 (1995).
36. V. Goplan and T. Mitchell, J. Appl. Phys. 83, 941 (1998).
37. S. Zafar, R. E. Jones, B. Jiang, B. White, P. Chu, D. Taylor, and S. Gillespie, Appl. Phys. Lett. 73, 175 (1998).
38. A. I. Kingon, S. K. Streiffer, C. Basceri, and S. R. Summerfelt, MRS Bull. 21, 46 (1996).
39. W. J. Merz, Phys. Rev. 95, 690 (1954).
40. T. K. Song, S. Aggarwal, Y. Gallais, B. Nagaraj, R. Ramesh, and J. T. Evans, Jr., Appl. Phys. Lett. 73, 3366 (1998).
41. S. Aggarwal, I. G. Jenkins, B. Nagaraj, C. J. Kerr, C. Canedy, R. Ramesh, G. Velasquez, L. Boyer, and J. T. Evans, Jr., Appl. Phys. Lett. 75, 1787 (1999).
42. I.-W. Chen and Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 4186 (1999).
43. W. L. Wareen, D. Dimos, B. A. Tuttle, R. D. Nasby, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. 65, 1018 (1994).
44. X. F. Du and I.-W. Chen, Appl. Phys. Lett. 72, 1923 (1998).
45. H. B. Sharma, H. N. K. Sarma, and A. Mansingh, J. Appl. Phys. 85, 341 (1999).
46. I. Stolichnov, A. Tagantsev, N. Setter, J. S. Cross, and M. Tsukada, Appl. Phys. Lett. 74, 352 (1999).