Observation of a manganese acceptor level in ferromagnetic Ga1-x Mnx N layers

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 21, 2004, Pages 4878-4880

  Yoon, I T ^a,b   Kang, T W ^a,b   Jeong, M C ^b   Ham, M H ^b   Myoung, J M ^b  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; BINDING ENERGY; DOPING (ADDITIVES); FERROMAGNETIC MATERIALS; GROWTH KINETICS; IONIZATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUENCHING; SAPPHIRE;

ACCEPTOR LEVELS; ACCEPTOR-BOUND HOLES; IMPURITY STATES; IONIZATION ENERGY;

MANGANESE;

EID: 19344374986     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1825635     Document Type: Article

References (18)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
2. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chihyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science 291, 854 (2001).
3. T. Hartman, M. Lampalzer, P. J. Klar, W. Stolz, W. Heimbrodt, H.-A. Keug von Nidda, A. Loids, and L. Svistov, Physica E (Amsterdam) 13, 572 (2002).
4. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2002).
5. G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, and K. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L949 (2000).
6. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
7. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 237-239, 1358 (2002).
8. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
9. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
10. Y. Shon, Y. H. Kwon, S. Y. Yudashev, J. H. Leem, C. S. Park, D. J. Fu, H. J. Kim, and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 81, 1845 (2002).
11. J. Schneider, U. Kaufmann, W. Wilkening, M. Baeumler, and F. Köhl, Phys. Rev. Lett. 59, 240 (1987).
12. M. Linnarsson, E. Janze'n, B. Monemar, M. Kleverman, and A. Thilderkvist, Phys. Rev. B 55, 6938 (1997).
13. M. Zajac, R. Doradzinski, J. Gorsk, J. Szczytko, M. Lefeld-Sosnowska, M. Kaminska, A. Twardowski, M. Palczewska, E. Grzanka, and W. Gebicki, Appl. Phys. Lett. 78, 1276 (2001).
14. K. S. Huh, M. H. Ham, J. M. Myoung, J. M. Lee, K. I. Lee, J. Y. Chang, S. H. Han, H. J. Kim, and W. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1069 (2002).
15. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Tang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
16. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
17. J. W. Orton, Semicond. Sci. Technol. 10, 101 (1995).
18. S. J. Pearton, C. R. Abrnathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).