Growth characteristics of carbon nanotube arrays synthesized by ICP-CVD using anodic aluminum oxide on silicon as a nanotemplate

Chemical Vapor Deposition

Volumn 11, Issue 4, 2005, Pages 219-225

  Yen, Jung Hsien ^b   Leu, Ing Chi ^a   Wu, Min Tao ^b   Lin, Chien Chih ^b   Hon, Min Hsiung ^b,c  

^a KUN SHAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c DA YEH UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

AAO; Carbon nanotubes; Density; ICP CVD; Templates

Indexed keywords

ALUMINUM; CATALYSIS; CHARACTERIZATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CURRENT DENSITY; ELECTROPLATING; GROWTH (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON; SYNTHESIS (CHEMICAL);

ANODIC ALUMINA OXIDE (AAO); ICP-CVD; PACKING DENSITY; TEMPLATES;

CARBON NANOTUBES;

EID: 18744363948     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200406347     Document Type: Article

References (22)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. J. Kong, N. R. Franklin, C. Zhou, M. G. Chapline, S. Peng, K. Cho, H. Dai, Science 2000, 287, 622.
3. H. W. C. Postma, T. Teepen, Z. Yao, M. Grifoni, C. Dekker, Science 2001, 293, 76.
4. Y. Chen, S. Patel, Y. Ye, D. T. Shaw, L. Guo, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2119.
5. A. Wadhawan, R. E. Stallcup II, J. M. Perez, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 108.
6. J. M. Bonard, N. Weiss, H. Kind, T. Stöckli, L. Forró, K, Kern, A. Châtelain, Adv. Mater. 2001, 13, 184.
7. J. H. Choi, T. Y. Lee, S. H. Choi, J. H. Han, J. B. Yoo, C. Y. Park, T. Jung, S. Yu, W. Yi, I. T. Han, J. M. Kim, Thin Solid Films 2003, 435, 318.
8. Y. Tu, Z. P. Huang, D. Z. Wang, J. G. Wen. Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4018.
9. S. H. Jeong, O. J. Lee, K. H. Lee, S. H. Oh, C. G. Park, Chem. Mater. 2002, 14, 4004.
10. J. Li, C. Papadopoulos, J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 367.
11. J. S. Suh, J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2047.
12. D. N. Davydov, P. A. Sattari, D. Almawlawi, A. Osika, T. L. Haslett, M. Moskovits, J. Appl. Phys. 1999, 86, 3983.
13. S. H. Jeong, H. Y. Hwang, K. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2052.
14. M. J. Kim, T. Y. Lee, J. H. Choi, J. B. Park, J. S. Lee, S. K. Kim, J. B. Yoo, C. Y. Park, Diamond Relat. Mater. 2003, 72, 870.
15. C. Bower, W. Zhu, S. Jin, O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 830.
16. B. D. Yao, N. Wang, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 11 395.
17. S. Yugo, T. Kanai, T. Kimura, T. Muto, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 1036.
18. J. S. Suh, K. S. Jeong, J. S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2392.
19. J. S. Lee, J. S. Suh, J. Appl. Phys. 2002, 92, 7519.
20. Z. H. Yuan, H. Huang, H. Y. Dang, J. E. Cao, B. H. Hu, S. S. Fana. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3127.
21. S. M. Yoon, J. Chae, J. S. Suh, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 825.
22. J. H. Yen, I. C. Leu, C. C. Lin, M. H. Hon, Appl. Phys. A. 2005, 2, 415.