Cross-sectional scanning tunneling microscopy of GaAsSb/GaAs quantum well structures

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 7, 2002, Pages 3761-3770

  Zuo, S L ^a   Hong, Y G ^a   Yu, E T ^a   Klem, J F ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALLOY LAYERS; ANALYSIS TECHNIQUES; COMPOSITIONAL STRUCTURE; CROSS-SECTIONAL SCANNING TUNNELING MICROSCOPIES; DOUBLE QUANTUM WELL STRUCTURES; GAAS; HETEROJUNCTION INTERFACES; INTERFACE ROUGHNESS; INTERFACIAL PROPERTY; NANO-METER SCALE; QUANTUM WELL STRUCTURES; STRAIN EFFECT;

GALLIUM ARSENIDE; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

SEMICONDUCTING GALLIUM;

EID: 18644380781     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1501740     Document Type: Article

References (42)

1. E. Yablonovitch and E. O. Kane, J. Lightwave Technol. 6, 1292 (1988). jlw JLTEDG 0733-8724
2. W. W. Chow, K. D. Choquette, M. H. Crawford, K. L. Lear, and G. R. Hadley, IEEE J. Quantum Electron. 33, 1810 (1997). ejq IEJQA7 0018-9197
3. T. Anan, K. Nishi, S. Sugou, M. Yamada, K. Tokutome, and A. Gomyo, Electron. Lett. 34, 2127 (1998). ell ELLEAK 0013-5194
4. J. F. Klem, O. Blum, S. R. Kurtz, I. J. Fritz, and K. D. Choquette, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1605 (2000). jv2 JVTBD9 1071-1023
5. H. R. Jen, D. S. Cao, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 54, 1890 (1989). apl APPLAB 0003-6951
6. A. Gomyo, T. Suzuki, and S. Iijima, Phys. Rev. Lett. 60, 2645 (1988). prl PRLTAO 0031-9007
7. D. M. Follstaedt, R. M. Biefeld, S. R. Kurtz, and K. C. Baucom, J. Electron. Mater. 24, 819 (1995). jem JECMA5 0361-5235
8. K. A. Mäder and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 64, 2882 (1994). apl APPLAB 0003-6951
9. G. B. Stringfellow and G. S. Chen, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2182 (1991). jvb JVTBD9 0734-211X
10. A. Zunger and S. Mahajan, Handbook on Semiconductors, Vol. 3B, Materials, Properties and Preparation, edited by S. Mahajan (North-Holland, Netherlands, 1994), p. 1399.
11. P. K. Bhattacharya and J. W. Ku, J. Appl. Phys. 58, 1410 (1985). jap JAPIAU 0021-8979
12. Y.-E. Ihm, N. Otsuka, J. Klem, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 51, 2013 (1987). apl APPLAB 0003-6951
13. H. R. Jen, M. J. Cherng, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 48, 1603 (1986). apl APPLAB 0003-6951
14. H. R. Jen, M. J. Jou, Y. T. Cherng, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 85, 175 (1987). jcr JCRGAE 0022-0248
15. H. Chen, R. M. Feenstra, R. S. Goldman, C. Silfvenius, and G. Landgren, Appl. Phys. Lett. 72, 1727 (1998). apl APPLAB 0003-6951
16. R. L. Nahory, M. A. Pollack, J. C. DeWinter, and K. M. Williams, J. Appl. Phys. 48, 513 (1977). jap JAPIAU 0021-8979
17. A. D. Prints, D. J. Dunstan, J. D. Lambkin, E. P. O'Reilly, A. R. Adams, R. Pritchard, W. S. Truscott, and K. E. Singer, Phys. Rev. B 47, 2191 (1993). prb PRBMDO 0163-1829
18. G. Ji, S. Agarwala, D. Huang, J. Chyi, and H. Morkoç, Phys. Rev. B 38, 10571 (1988). prb PRBMDO 0163-1829
19. S. L. Zuo, E. T. Yu, A. A. Allerman, and R. M. Biefeld, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1781 (1999). jvb JVTBD9 0734-211X
20. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 65, 454 (1987). jcr JCRGAE 0022-0248
21. J. W. Cahn, Acta Metall. 10, 179 (1962). ado AMETAR 0001-6160
22. S. Froyen and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 66, 2132 (1991). prl PRLTAO 0031-9007
23. S. Froyen and A. Zunger, Phys. Rev. B 53, 4570 (1996). prb PRBMDO 0163-1829
24. S. B. Zhang, S. Froyen, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 67, 3141 (1995). apl APPLAB 0003-6951
25. L. Q. Chen and A. G. Khachaturyan, Phys. Rev. Lett. 70, 1477 (1993). prl PRLTAO 0031-9007
26. L. Q. Chen and A. G. Khachaturyan, Scr. Metall. Mater. 25, 61 (1991). smm SCRMEX 0956-716X
27. L. Q. Chen and A. G. Khachaturyan, Acta Metall. Mater. 39, 2533 (1991). amm AMATEB 0956-7151
28. L. Q. Chen, Y. Z. Wang, and A. G. Khachaturyan, Philos. Mag. Lett. 65, 15 (1992). pml PMLEEG 0950-0839
29. R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z. Y-Ting, M. W. Wang, and T. C. McGill, Phys. Rev. Lett. 72, 2749 (1994). prl PRLTAO 0031-9007
30. A. Y. Lew, S. L. Zuo, E. T. Yu, and R. H. Miles, Phys. Rev. B 57, 6534 (1998). prb PRBMDO 0163-1829
31. J. E. Bernard and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 65, 165 (1994). apl APPLAB 0003-6951
32. J. C. Woicik, J. G. Pellegrino, S. H. Southworth, P. S. Shaw, B. A. Karlin, C. E. Bouldin, and K. E. Miyano, Phys. Rev. B 52, R2281 (1995). prb PRBMDO 0163-1829
33. T.-L. Lee, M. R. Pillai, J. C. Woicik, G. Labanda, P. F. Lyman, S. A. Barnett, and M. J. Bedzyk, Phys. Rev. B 60, 13612 (1999). prb PRBMDO 0163-1829
34. T.-L. Lee, M. R. Pillai, J. C. Woicik, G. Labanda, P. F. Lyman, S. A. Barnett, and M. J. Bedzyk, Phys. Rev. B 60, 13612 (1999). prb PRBMDO 0163-1829
35. J. C. Woicik, Phys. Rev. B 57, 6266 (1998). prb PRBMDO 0163-1829
36. A. Sher, Mark van Schilfgaarde, A.-B. Chen, and W. Chen, Phys. Rev. B 36, 4279 (1987). prb PRBMDO 0163-1829
37. J. Tersoff, R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, and A. P. Fein, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 497 (1988). jva JVTAD6 0734-2101
38. R. J. Meyer, C. B. Duke, A. Paton, J. L. Yeh, J. C. Tsang, A. Kahn, and P. Mark, Phys. Rev. B 21, 4740 (1980). prb PRBMDO 0163-1829
39. H. M. Tütüncü and G. P. Srivastava, Phys. Rev. B 59, 4925 (1999). prb PRBMDO 0163-1829
40. C. B. Duke, R. J. Meyer, A. Paton, J. L. Yeh, J. C. Tsang, A. Kahn, and P. Mark, J. Vac. Sci. Technol. 17, 501 (1980). jvs JVSTAL 0022-5355
41. V. E. De Carvalho, M. Prutton, and S. P. Tear, Surf. Sci. 184, 198 (1987). sus SUSCAS 0039-6028
42. H. M. Tütüncü, M. Çakmak, and G. P. Srivastava, Appl. Surf. Sci. 123/124, 146 (1997). asu ASUSEE 0169-4332