Low temperature growth of carbon nanotubes for triode-type field-emitter array by chemical vapor deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 45, Issue 5 I, 2004, Pages 1165-1168

  Moon, Jong Hyun ^a   Lim, Sung Hoon ^a   Park, Kyu Chang ^a   Jang, Jin ^a   Kang, Sung Gu ^b   Bae, Woo Kyung ^b   Kim, J J ^b   Lee, C R ^b   Lee, Choong Hun ^c  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b cDream Corporation   (United States)

^c Wonkwang University   (South Korea)

Author keywords

Carbon nanotubes; CNT FEA; PECVD; Plasma treatment

Indexed keywords

EID: 10444279180     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (20)

1. W. DeHeer, A. Chatelain and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
2. S. lijima, Nature 354, 56 (1991).
3. Y. Saito, K. Hamaguchi, R. Mizushima, S. Uemura, T. Nagasako, J. Yotani and T. Shimojo, Appl. Surf. Sci. 146, 305 (1999).
4. Y. S. Choi, J. H. Kang, Y. J Park, W. B. Choi, C. J. Lee, S. H. Jo, C. G. Lee, J. H. You, J. E. Jung, N. S. Lee and J. M. Kim, Diamond Relat. Mater. 10, 1705 (2001).
5. J. Robertson, W. I. Milne, K. B. K. Teo and M. Chhowalla, AIP Conference Proceedings 633, 537 (2002).
6. C. G. Lee, J. E. Jung, Y. W. Jin, S. H. Jo, S. J. Lee, J. H. Choi, N. S. Park, Y. S. Choi, S. Y. Hwang, J. W. Kim, H. W. Lee, Y. J. Park, E. J. Chi, J. E. Jang, J. S. Lee, S. J. Lee, S. H. Cho, D. S. Chung, S. N. Cha, J. C. Cha, B. G. Lee, H. S. Han, S. H. Ahn, S. J. Lee, S. Y. Park, K. S. Ryu, S. H. Jin, K. W. Jung, K. W. Min, J. S. Choi, T. S. Oh, S. K. Kang and J. M. Kim, Digest of SID Intl. Symp. Digest Tech. Papers. (Boston, May, 2002) p. 1125.
7. I. T. Han, H. J. Kim, Y. J. Park, N. S. Lee, J. E. Jang, J. W. Kim, J. E. Jung and J. M. Kim, Appl. Phys. Lett. 81, 2070 (2002).
8. M. A. Guillorn, M. D. Hale, V. I. Merkulov, G. Y. Eres, H .Cui, A. A. Puretzky, D. B. Geohegan and M .L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 81, 2860 (2002).
9. C. L. Tsai, C. F. Chen and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 80, 1821 (2002).
10. S. Kang, C. Bae, W. Son, M. H. Kim, J. Yi, S. T. Lee, A. Chang, J. J. Kim, C. R. Lee, J. H. Moon, S. H. Lim, H. S. Kim and J. Jang, Digest of SID Intl. Symp. Digest Tech. Papers. (Baltimore, May, 2002) p. 802.
11. V. Semet, V. T. Binh, P. Vincent, D. Guillol, K. B. K. Teo, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 81, 343 (2002).
12. J. M. Bonard, H. Kind, T. Stockli and L.O. Nilsson, Solid State Electron. 45, 893 (2001).
13. O. Gröning, O. M. Kuttel, Ch. Emmenegger, P. Gröning and L. Sclapbach, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 665 (2000).
14. C. Ducati, I. Alexandrou, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga and J. Robertson, J. Appl. Phys. 92, 3299 (2002).
15. S. Hofmann, C. Ducati, J. Robertson and B. Keinsorge, Appl. Phys. Lett. 83, 135 (2003).
16. J. Jang and S. J. Chung, U. S. Patent No. 6, 331, 209 (18 December 2001).
17. S. J. Chung, S. H. Lim, C. H. Lee and J. Jang, Diamond Relat. Mat. 10, 248 (2001).
18. J. Jang, S. J. Chung, H. S. Kim, S. H. Lim and C. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 1682 (2001).
19. Y. Huh, J. Y. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu and C. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 42, S732 (2003).
20. H. S. Uh, S. M. Lee, S. R. Choi, S. S. Park, E. S. Cho, J. D. Lee and S. J. Kwon, J. Korean Phys. Soc. 43, 929 (2003).