Low-temperature formation of Si(001) 2× surfaces from wet chemical cleaning in NH4F solution

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 8, 2000, Pages 3700-3706

  Thanh, Vinh Le ^a   Bouchier, D ^a   Hincelin, G ^a  

^a CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0346715727     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372403     Document Type: Article

References (32)

1. W. Kern and D. A. Puotinen, RCA Rev. 31, 187 (1970).
2. W. Kern, Semicond. Int. 7, 94 (1984).
3. R. C. Henderson, J. Electrochem. Soc. 119, 772 (1972).
4. J. J. Lander and J. Morrison, J. Appl. Phys. 33, 2028 (1961).
5. R. Tromp, G. W. Rubloff, P. Balk, F. K. LeGoues, and E. J. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 55, 2332 (1985); M. Liehr, J. E. Lewis, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1559 (1987).
6. R. Tromp, G. W. Rubloff, P. Balk, F. K. LeGoues, and E. J. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 55, 2332 (1985); M. Liehr, J. E. Lewis, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1559 (1987).
7. M. Tabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 21, 534 (1982).
8. D. C. Streit and F. G. Allen, J. Appl. Phys. 61, 2894 (1987).
9. A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
10. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
11. V. Le Thanh, M. Eddrief, C. Sébenne, P. Dumas, A. Taleb-Ibrahimi, R. Gunther, Y. J. Chabal, and J. Derrien, Appl. Phys. Lett. 64, 3308 (1994).
12. V. Le Thanh, P. Boucaud, D. Débarre, Y. Zheng, D. Bouchier, and J.-M. Lourtioz, Phys. Rev. B 58, 13 115 (1998).
13. V. A. Burrows, Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and S. B. Christman, Appl. Phys. Lett. 53, 998 (1988).
14. Y. J. Chabal, G. S. Higashi, K. Raghavachari, and V. A. Burrows, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2104 (1989).
15. M. Niwano, T. A. Miura, Y. Kimura, R. Tajima, and N. Miyamoto, J. Appl. Phys. 79, 3708 (1996).
16. P. Gupta, V. L. Colvin, and S. M. George, Phys. Rev. B 37, 8234 (1988).
17. B. G. Koehler, C. H. Mak, D. A, Arthur, P. A. Coon, and S. M. George, J. Chem. Phys. 89, 1709 (1988).
18. S. M. Gates, R. R. Kunz, and C. M. Greenlief, Surf. Sci. 207, 364 (1989).
19. C. M. Greenlief, S. M. Gates, and P. A. Holbert, Chem. Phys. Lett. 159, 202 (1989).
20. G. J. Pietsch, U. Köhler, and M. Henzler, J. Appl. Phys. 73, 4797 (1993).
21. G. J. Pietsch, U. Köhler, and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 78 (1994).
22. J. P. Becken R. G. Long, and J. E. Mahan, J. Vac. Sci. Technol, A 12, 174 (1994).
23. G. S. Higashi, R. S. Becker, Y. J. Chabal, and A. J. Becker, Appl. Phys. Lett. 58, 1656 (1991).
24. P. Jakob and Y. J. Chabal, J. Chem. Phys. 95, 2897 (1991).
25. P. Dumas and Y. J. Chabal, Chem. Phys. Lett. 181, 537 (1991).
26. P. Dumas, Y. J. Chabal, and P. Jakob, Surf. Sci. 269/270, 867 (1992).
27. M. Niwano, Y. Takeda, Y. Ishibashi, K. Kurita, and N. Miyamoto, J. Appl. Phys. 71, 5646 (1992).
28. D. Gräf, S. Bauer-Mayer, and A. Schnegg, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 940 (1993).
29. U. Neuwald, H. E. Hessel, A. Feltz, U. Memmert, and R. J. Behm, Surf. Sci. Lett. 296, L8 (1993).
30. S. L. Yau and K. Kaji, Appl. Phys. Lett. 66, 766 (1995).
31. V. Le Thanb, D. Bouchier, and D. Débarre, Phys. Rev. B 56, 10505 (1997).
32. V. Le Thanb, Thin Solid Films 321, 98 (1998).