Measurement of the Auger recombination rate in p-type 0.54 eV GalnAsSb by time-resolved photoluminescence

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 16, 2003, Pages 3317-3319

  Anikeev, S ^a   Donetsky, D ^a   Belenky, G ^a   Luryi, S ^a   Wang, C A ^b   Borrego, J M ^c   Nichols, G ^d  

^a STONY BROOK UNIVERSITY   (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

^d LOCKHEED MARTIN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AUGERS; DOPING (ADDITIVES); ELECTRONS; INDIUM ALLOYS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SUBSTRATES;

DECAY CONSTANTS;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0242580879     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1621455     Document Type: Article

References (17)

1. G. W. Charache, P. F. Baldasaro, L. R. Danielson, D. M. DePoy, J. Freeman, C. A. Wang, H. K. Choi, D. Z. Garbuzov, R. U. Martinelli, V. Khalfin, S. Saroop, J. M. Borrego, and R. J. Gutmann, J. Appl. Phys. 85. 2247 (1999).
2. H. K. Choi, C. A. Wang, G. W. Turner, M. J. Manfra, D. L. Spears, G. W. Charache, L. R. Danielson, and D. M. DePoy, Appl. Phys. Lett. 71. 3758 (1997).
3. C. A. Wang, C. J. Vineis, H. K. Choi, M. K. Connors. R. K. Huang. L. R. Danielson, G. Nichols, G. W. Charache, D. Donetsky, S. Anikeev, and G. Belenky. AIP Conf. Proc. 653, 324 (2003).
4. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89. 5815 (2001).
5. M. Munoz, K. Wei, Fred H. Pollak, J. L. Freeouf, C. A. Wang, and G. W. Charache, J. Appl. Phys. 87, 1780 (2000).
6. M. Takeshima, J. Appl. Phys. 43. 4114 (1972).
7. G. Benz and R. Conradt, Phys. Rev. B 16, 843 (1977).
8. A. N. Titkov, G. N. Iluridze, I. F. Mironov, and V. A. Cheban, Sov. Phys. Semicond. 20, 14 (1986).
9. G. N. Iluridze, I. F. Mironov, A. N. Titkov, and V. A. Cheban. Sov. Phys. Semicond. 20, 310(1986).
10. I. Riech, M. L. Gomez-Herrera, P. Diaz, J. G. Mendoza-Alvarez, J. L. Herrera-Perez, and E. Marin, Appl. Phys. Lett. 79, 964 (2001).
11. R. K. Ahrenkiel, AIP Conf. Proc. 353, 161 (1996).
12. J. M. Borrego, S. Saroop, R. J. Gutmann, G. W. Charache, T. Donovan, P. F. Baldasaro, and C. A. Wang, J. Appl. Phys. 89, 3753 (2001).
13. C. A. Wang, J. Cryst. Growth 191, 631 (1998).
14. P. Asbeck, J. Appl. Phys. 48. 820 (1977).
15. R. K. Ahrenkiel, B. M. Keyes, G. B. Lush, M. R. Melloch, M. S. Lund-strom, and H. F. MacMillan, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 990 (1992).
16. D. Donetsky, S. Anikeev, G. Belenky, S. Luryi, C. A. Wang, and G. Nichols, Appl. Phys. Lett. 81, 4769 (2002).
17. R. K. Ahrenkiel, in Semiconductors and Semimrtals, edited by R. K. Ahrenkiel and M. S. Lundstrom (Academic. New York. 1993). Vol. 39. pp. 39-150.