Mass transport: Semiconductor microstructure fabrication by surface energy

Materials Science and Engineering R: Reports

Volumn 42, Issue 2, 2003, Pages 41-63

  Liau, Z L ^a  

^a MIT LINCOLN LABORATORY   (United States)

Author keywords

Mass transport; Microfabrication; Microlenses; Microoptics; Semiconductor microstructures; Surface energy

Indexed keywords

FABRICATION; HEAT TREATMENT; INTERFACIAL ENERGY; MICROLENSES; MICROSTRUCTURE;

MASS TRANSPORT;

SEMICONDUCTOR MATERIALS;

EID: 0142125771     PISSN: 0927796X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.mser.2003.08.001     Document Type: Review

References (60)

1. Liau Z.L., Walpole J.N. Appl. Phys. Lett. 40:1982;568.
2. Ayabe M., Nagasawa H., Kaneko K. J. Cryst. Growth. 58:1982;180.
3. Chen T.R., Chiu L.C., Yu K.L., Koren U., Hasson A., Margalit S., Yariv A. Appl. Phys. Lett. 41:1982;1115.
4. Nelson A.W., Westbrook L.D., Evans J.S. Electron. Lett. 19:1983;34.
5. Kinoshita J., Okuda H., Uematsu Y. Electron. Lett. 19:1983;215.
6. Nagai H., Noguchi Y., Matsuoka T., Suzuki Y. Jpn. J. Appl. Phys. 22:1983;L291.
7. Hasson A., Chiu L.C., Chen T.R., Koren U., Rav-Noy Z., Yu K.L., Margalit S., Yariv A. Appl. Phys. Lett. 43:1983;403.
8. Tanahashi T., Ushijima I., Umebu I., Nakai S., Nishitani Y., Akita K. J. Cryst. Growth. 64:1983;492.
9. Chen T.R., Chiu L.C., Hasson A., Yu K.L., Koren U., Margalit S., Yariv A. J. Appl. Phys. 54:1983;2407.
10. Liau Z.L., Walpole J.N., Tsang D.Z. IEEE J. Quant. Electron. QE-20:1984;855.
11. Liau Z.L., Walpole J.N., Tsang D.Z. Appl. Phys. Lett. 44:1984;945.
12. Nagai H., Noguchi Y., Matsuoka T. J. Cryst. Growth. 71:1985;225.
13. Liau Z.L., Walpole J.N. Appl. Phys. Lett. 46:1985;115.
14. Liau Z.L., Flanders D.C., Walpole J.N., DeMeo N.L. Appl. Phys. Lett. 46:1985;221.
15. Groves S.H., Liau Z.L., Palmateer S.C., Walpole J.N. Appl. Phys. Lett. 56:1990;312.
16. Liau Z.L., Palmateer S.C., Groves S.H., Walpole J.N., Missaggia L.J. Appl. Phys. Lett. 60:1992;6.
17. Walpole J.N., Liau Z.L. Appl. Phys. Lett. 48:1986;1636.
18. Liau Z.L., Walpole J.N. Appl. Phys. Lett. 50:1987;528.
19. Walpole J.N., Liau Z.L., Missaggia L.J., Yap D. Appl. Phys. Lett. 50:1987;1219.
20. Liau Z.L., Diadiuk V., Walpole J.N., Mull D.E. Appl. Phys. Lett. 52:1988;1859.
21. Liau Z.L., Diadiuk V., Walpole J.N., Mull D.E. Appl. Phys. Lett. 55:1989;97.
22. Z.L. Liau, D.E. Mull, D.L. Hovey, Solid State Research Report, vol. 2, MIT Lincoln Laboratory, 1994, p. 1.
23. Liau Z.L., Mull D.E., Dennis C.L., Williamson R.C., Waarts R.G. Appl. Phys. Lett. 64:1994;1484.
24. Liau Z.L., Walpole J.N., Mull D.E., Dennis C.L., Missaggia L.J. Appl. Phys. Lett. 64:1994;3368.
25. Liau Z.L., Walpole J.N., Livas J.C., Kintzer E.S., Mull D.E., Missaggia L.J., DiNatale W.F. IEEE Photon. Technol. Lett. 7:1995;1315.
26. Swenson J.S. Jr., Fields R.A., Abraham M.H. Appl. Phys. Lett. 66:1995;1304.
27. Liau Z.L., Tsang D.Z., Walpole J.N. IEEE J. Quant. Electron. 33:1997;457.
28. Walpole J.N., Choi H.K., Missaggia L.J., Liau Z.L., Connors M.K., Turner G.W., Manfra M.J., Cook C.C. IEEE Photon. Technol. Lett. 11:1999;1223.
29. Ballen T.A., Leger J.R. Appl. Opt. 38:1999;2979.
30. Nikolujeff F., Ballen T.A., Leger J.R., Gopinath A., Lee T.-C., Williams R.C. Appl. Opt. 38:1999;3030.
31. Z.L. Liau, M.B. Stern, D.C. Flanders, Solid State Research Report, no. 3, MIT Lincoln Laboratory, 2002, p. 7.
32. Liau Z.L., Mull D.E. Appl. Phys. Lett. 56:1990;737.
33. AXSUN Technologies, Billerica, MA.
34. Geis M.W., Lincoln G.A., Efremow N.N., Piacentini W.J. J. Vac. Sci. Technol. 19:1981;1390.
35. Goodhue W.D., Rauschenbach K., Wang C.A., Donnelly J.P., Bailey R.J., Johnson G.D. J. Electron. Mater. 19:1990;463.
36. Liau Z.L. Appl. Phys. Lett. 58:1991;1869.
37. Z.L. Liau, M.B. Stern, D.E. Mull, S.H. Groves, Solid State Research Report, no. 4, MIT Lincoln Laboratory, 2001, p. 9.
38. See, for example, M. Born, E. Wolf, Principles of Optics, sixth ed., Pergamon, Oxford, 1980, p. 460.
39. Z.L. Liau, Solid State Research Report, no. 4, MIT Lincoln Laboratory, 1995, p. 1.
40. Z.L. Liau, G.E. Betts, J.P. Donnelly, J.N. Walpole, L.J. Missaggia, Solid State Research Report, no. 5, MIT Lincoln Laboratory, 1999, p. 5.
41. Liau Z.L., Nam D.W., Waarts R.G. Appl. Opt. 33:1994;7371.
42. Mullins W.W. J. Appl. Phys. 28:1957;333.
43. Mullins W.W. J. Appl. Phys. 30:1959;77.
44. W.W. Mullins, in: N.A. Gjostein, W.D. Robertson (Eds.), Metal Surfaces, American Society for Metals, Cleveland, OH, 1963 (Chapter 2).
45. Maiya P.S., Blakely J.M. J. Appl. Phys. 38:1967;698.
46. J.M. Blakely, Introduction to the Properties of Crystal Surfaces, Pergamon, Oxford, 1973 (Chapter 7).
47. Liau Z.L., Zeiger H.J. J. Appl. Phys. 67:1990;2434.
48. Liau Z.L. Mater. Chem. Phys. 46:1996;265.
49. Z.L. Liau, Solid State Research Report, no. 3, MIT Lincoln Laboratory, 1991, p. 6.
50. Z.L. Liau, M.B. Stern, Solid State Research Report, no. 4, MIT Lincoln Laboratory, 2000, p. 11.
51. L.D. Landau, E.M. Lifshitz, Statistical Physics, Addison-Wesley, Reading, MA, 1958 (Chapter 15).
52. J.D. Jackson, Classical Electrodynamics, third ed., Wiley, New York, 1999, p. 118.
53. Walpole J.N., Kintzer E.S., Chinn S.R., Wang C.A., Missaggia L.J. Appl. Phys. Lett. 61:1992;740.
54. Kintzer E.S., Walpole J.N., Chinn S.R., Wang C.A., Missaggia L.J. IEEE Photon. Technol. Lett. 5:1993;605.
55. Mehuys D., Goldberg L., Welch D.F. IEEE Photon. Technol. Lett. 5:1993;1179.
56. J.N. Walpole, L.J. Missaggia, Z.L. Liau, J.C. Livas, E.S. Kintzer, unpublished.
57. F. Durville, R.H. Rediker, J.N. Walpole, Z.L. Liau, L.J. Missaggia, unpublished.
58. Keicher W.E., Bicknell W.E., Marino R.M., Davis W.R. Jr., Forman S.E., Stephens T. Linc. Lab. J. 13:2002;205.
59. Aull B.F., Loomis A.H., Young D.J., Heinrichs R.M., Felton B.J., Daniels P.J., Landers D.J. Linc. Lab. J. 13:2002;335.
60. Albota M.A., Aull B.F., Fouche D.G., Heinrichs R.M., Kocher D.G., Marino R.M., Mooney J.G., Newbury N.R., O'Brien M.E., Player B.E., Willard B.C., Zayhowski J.J. Linc. Lab. J. 13:2002;351.