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Volumn 94, Issue 7, 2003, Pages 4643-4648

Formation of GaAs three-dimensional objects using AlAs "facet-forming" sacrificial layer and H3PO4, H2O2, H2O based solution

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CRYSTALLOGRAPHY; EPITAXIAL GROWTH; ETCHING; MICROELECTROMECHANICAL DEVICES;

NANOELECTRONICS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0142057523 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.1602570 Document Type: Article

Times cited : (22)

References (17)

1
- 0032162686
- J. L. Leclercq, R. P. Ribas, J. M. Karam, and P. Viktorovitch, Microelectron. J. 29, 613 (1998).
- (1998) Microelectron. J. , vol.29 , pp. 613
- Leclercq, J.L.¹ Ribas, R.P.² Karam, J.M.³ Viktorovitch, P.⁴

2
- 0142022398
- K. Hjort, J. Söderquist, and J.-A. Schweitz, J. Micromech. Microeng. 4, 1 (1999).
- (1999) J. Micromech. Microeng. , vol.4 , pp. 1
- Hjort, K.¹ Söderquist, J.² Schweitz, J.-A.³

3
- 0037468064
- M. J. Cich, J. A. Johnson, G. M. Peake, and O. B. Spahn, Appl. Phys. Lett. 82, 651 (2003).
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.82 , pp. 651
- Cich, M.J.¹ Johnson, J.A.² Peake, G.M.³ Spahn, O.B.⁴

4
- 0029369890
- D. Gregusova, P. Elias, L. Malacky, R. Kudela, and J. Skriniarova, Phys. Status Solidi A 151, 113 (1995).
- (1995) Phys. Status Solidi A , vol.151 , pp. 113
- Gregusova, D.¹ Elias, P.² Malacky, L.³ Kudela, R.⁴ Skriniarova, J.⁵

5
- 0037277736
- H. Hasegawa, Phys. Status Solidi A 195, 9 (2003).
- (2003) Phys. Status Solidi A , vol.195 , pp. 9
- Hasegawa, H.¹

6
- 0035502128
- P. Eliáš, V. Cambel, S. Hasenohrl, and I. Kostič, J. Cryst. Growth 233,141 (2001).
- (2001) J. Cryst. Growth , vol.233 , pp. 141
- Eliáš, P.¹ Cambel, V.² Hasenohrl, S.³ Kostič, I.⁴

7
- 0142022396
- D. Gregusova, V. Cambel, R. Kúdela, J. Šoltýs, I. Kostič, G. Attolini, and C. Pelosi, J. Cryst. Growth 248, 419 (2003).
- (2003) J. Cryst. Growth , vol.248 , pp. 419
- Gregusova, D.¹ Cambel, V.² Kúdela, R.³ Šoltýs, J.⁴ Kostič, I.⁵ Attolini, G.⁶ Pelosi, C.⁷

8
- 0013316706
- K. Jong-Hee, L. D. Ho, and J. G. Mo, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 558 (1998).
- (1998) J. Vac. Sci. Technol. B , vol.16 , pp. 558
- Jong-Hee, K.¹ Ho, L.D.² Mo, J.G.³

9
- 21544474632
- E. Yablonovitch, T. Gmitter, J. P. Harbison, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 2222 (1987).
- (1987) Appl. Phys. Lett. , vol.51 , pp. 2222
- Yablonovitch, E.¹ Gmitter, T.² Harbison, J.P.³ Bhat, R.⁴

10
- 0037080722
- S. Kicin, V. Cambel, M. Kuliffayová, D. Gregušová, E. Kováčová, J. Novák, I. Kostič, and A. Foerster, J. Appl. Phys. 91, 878 (2002).
- (2002) J. Appl. Phys. , vol.91 , pp. 878
- Kicin, S.¹ Cambel, V.² Kuliffayová, M.³ Gregušová, D.⁴ Kováčová, E.⁵ Novák, J.⁶ Kostič, I.⁷ Foerster, A.⁸

11
- 0037005940
- V. Cambel, S. Kicin, M. Kuliffayová, E. Kováčová, J. Novák, I. Kostič, and A. Foerster, Mater. Sci. Eng., C 19, 161 (2002).
- (2002) Mater. Sci. Eng., C , vol.19 , pp. 161
- Cambel, V.¹ Kicin, S.² Kuliffayová, M.³ Kováčová, E.⁴ Novák, J.⁵ Kostič, I.⁶ Foerster, A.⁷

12
- 0142022395
- H. K. Kuiken, J. J. Kelly, and P. H. L. Notten, J. Eleetrochem. Soc. 133, 105 (2000).
- (2000) J. Eleetrochem. Soc. , vol.133 , pp. 105
- Kuiken, H.K.¹ Kelly, J.J.² Notten, P.H.L.³

13
- 0018007890
- Y. Mori and N. Watanabe, J. Eleetrochem. Soc. 125, 1510 (1978).
- (1978) J. Eleetrochem. Soc. , vol.125 , pp. 1510
- Mori, Y.¹ Watanabe, N.²

16
- 0038645851
- D. Gregušová, V. Cambel, J. Fedor, R. Kúdela, T. Lalinský, I. Kostič, and S. J. Bending, Appl. Phys. Lett. 82, 3704 (2003).
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.82 , pp. 3704
- Gregušová, D.¹ Cambel, V.² Fedor, J.³ Kúdela, R.⁴ Lalinský, T.⁵ Kostič, I.⁶ Bending, S.J.⁷

17
- 0024014444
- D. T. C. Huo, J. D. Wynn, S. G. Napholz, and D. P. Wilt, J. Eleetrochem. Soc. 135, 1231 (1988).
- (1988) J. Eleetrochem. Soc. , vol.135 , pp. 1231
- Huo, D.T.C.¹ Wynn, J.D.² Napholz, S.G.³ Wilt, D.P.⁴

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.