Molecular nitrogen implanted in Al2O3 by low energy N2+ ion bombardment

Solid State Communications

Volumn 128, Issue 6-7, 2003, Pages 235-238

  Holgado, J P ^a   Yubero, F ^a   Cordon A ^a   Gracia, F ^a   Gonzalez Elipe A R ^a   Avila, J ^b,c  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE SEVILLA   (Spain)

^b INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^c UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

Author keywords

D. Electronic band structure; D. Electronic states (localized); E. Photoelectron spectroscopies; E. Synchrotron radiation

Indexed keywords

ABSORPTION SPECTROSCOPY; BAND STRUCTURE; ION BOMBARDMENT; ION IMPLANTATION; SYNCHROTRON RADIATION;

VIBRATIONAL STRUCTURES;

ALUMINA;

EID: 0141988664     PISSN: 00381098     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.ssc.2003.08.016     Document Type: Article

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