Monolithically series-interconnected GaInAsSb/AlGaAsSb/GaSb thermophotovoltaic devices with an internal backsurface reflector formed by wafer bonding

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 7, 2003, Pages 1286-1288

  Wang, C A ^a   Huang, R K ^a   Shiau, D A ^a   Connors, M K ^a   Murphy, P G ^a   O'Brien, P W ^a   Anderson, A C ^a   DePoy, D M ^b   Nichols, G ^b   Palmisiano, M N ^c  

^a MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^b LOCKHEED MARTIN   (United States)

^c BECHTEL BETTIS INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; ELECTRIC POTENTIAL; ENERGY GAP; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

BACKSURFACE REFLECTOR (BSR);

PHOTOVOLTAIC CELLS;

EID: 0042418809     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1602165     Document Type: Article

References (15)

1. P. F. Baldasaro, J. E. Raynolds, G. W. Charache, D. M. DePoy, C. T. Ballinger, T. Donovan, and J. M. Borrego, J. Appl. Phys. 89, 3319 (2001).
2. G. W. Charache, J. L. Egley, D. M. DePoy, L. R. Danielson, M. J. Freeman, R. J. Dziendziel, J. F. Moynihan, P. F. Baldasaro, B. C. Campbell, C. A. Wang, H. K. Choi, G. W. Turner, S. J. Wojtczuk, P. Colter, P. Sharps, M. Timmons, R. E. Fahey, and K. Zhang, J. Electron. Mater. 27, 1038 (1998).
3. N. S. Fatemi, D. M. Wilt, R. W. Hoffman, Jr., M. A. Stan, V. G. Weizer, P. P. Jenkins, O. S. Khan, C. S. Murray, D. Scheiman, and D. Brinker, AIP Conf. Proc. 460, 121 (1999).
4. M. W. Wanlass, J. J. Carapella, A. Duda, K. Emery, L. Gedvilas, T. Moriaty, S. Ward, J. D. Webb, and X. Wu, AIP Conf. Proc. 460, 132 (1999).
5. R. R. Siergiej, B. Wernsmann, S. A. Derry, R. J. Wehrer, S. D. Link, M. N. Palmisiano, L. Messham, S. Murray, C. S. Murray, F. Newman, J. Hills, and D. Taylor, AIP Conf. Proc. 653, 414 (2003).
6. C. A. Wang, H. K. Choi, and G. W. Charache, IEE Proc.-J: Optoelectron. 147, 193 (2000).
7. G. W. Charache, D. M. DePoy, P. F. Baldasaro, and B. C. Campbell, AIP Conf. Proc. 321, 339 (1996).
8. M. N. Palmisiano, R. M. Biefeld, J. G. Cederberg, M. J. Haflch, and G. M. Peake, AIP Conf. Proc. 653, 305 (2003).
9. F. Omnes, J.-C. Guillaume, G. Nataf, G. Jager-Waldau, P. Vennegues, and P. Gibart, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1806 (1996).
10. R. H. Horng, D. S. Wuu, S. C. Wei, C. Y. Tseng, M. F. Huang, K. H. Chang, P. H. Liu, and K. C. Lin, Appl. Phys. Lett. 75, 3054 (1999).
11. H. C. Lin, W. H. Wang, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Electron. Lett. 38, 516 (2002).
12. J. M. Borrego, S. Saroop, R. J. Gutman, G. W. Charache, T. Donovan, P. F. Baldasaro, and C. A. Wang, J. Appl. Phys. 89, 3753 (2001).
13. C. A. Wang, H. K. Choi, D. C. Oakley, and G. W. Charache, J. Cryst. Growth 195, 346 (1998).
14. M. B. Clevenger, C. S. Murray, S. A. Ringel, R. N. Sacks, L. Qin, G. W. Charache, and D. M. DePoy, AIP Conf. Proc. 460, 327 (1999).
15. C. A. Wang, Z. L. Liau, D. A. Shiau, and P. M. Nitishin, 2003 MRS Spring Meeting, San Francisco, CA, 21-25 April 2003 (to be published).