Au/Ge/Ni/Au and Pd/Ge/Ti/Au Ohmic Contacts to AlxGa 1-xAs/InGaAs (x = 0.75) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 43, Issue 2, 2003, Pages 253-258

  Choi, Kyoung Jin ^a   Han, Sang Youn ^a   Lee, Jong Lam ^a   Moon, Jae Kyoung ^b   Park, Min ^b   Kim, Haecheon ^b  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Korea Basic Science Institute (KBSI)   (South Korea)

Author keywords

High Al mole fraction; Ohmic contact; PHEMT

Indexed keywords

EID: 0042416658     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (17)

1. D. M. Kang, J. H. Lee, H. S. Yoon, S. J. Kim, J. Y. Shim and K. H. Lee, J. Korean Phys. Soc. 41, 524 (2002).
2. T. F. Kuech, E. Veuhoff and B. S. Meyerson, J. Cryst. Growth 68, 48 (1984).
3. A. Kastalsky and R. A. Kiehl, IEEE Trans. Electron Dev. ED-33, 414 (1986).
4. K. J. Choi, J.-L. Lee and H. M. Yoo, Appl. Phys. Lett. 75, 1580 (1999).
5. P. M. Mooney, J. Appl. Phys. 67, R1 (1990).
6. Motorola, Compound Semiconductor 6, 28 (2001).
7. J. K. Kim, Y.-H. Cho, J. Lee, Y. Park, T. Kim and J.-L. Lee, J. Korean Phys. Soc. 39, 23 (2001).
8. J.-L. Lee, J. K. Mun, H. Kim, J. J. Lee and H. M. Park, IEEE Trans. Electron Dev. ED-43, 519 (1996).
9. Y.-C. Shih, M. Murakami and W. H. Price, J. Appl. Phys. 65, 3539 (1989).
10. J.-L. Lee, H. Kim, J. K. Mun, H. G. Lee and H. M. Park, IEEE Electron Device Lett. 15, 324 (1994).
11. E. D. Marshall, B. Zhang, L. C. Wang, P. F. Jiao, W. X. Chen, T. Sawada, K. L. Kavanagh and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 62, 942 (1987).
12. E. D. Mashall, W. X. Chen, C. S. Wu, S. S. Lau and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 47, 298 (1989).
13. L. G. Wang, S. S. Lau, E. K. Hsieh and J. R. Velebir, Appl. Phys. Lett. 54, 2677 (1989).
14. K. J. Choi and J.-L. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 615 (2001).
15. D. Qiao, L. Jia, L. S. Yu, P. M. Asbeck, S. S. Lau, S.-H. Lim, Z. Liliental-Wever, T. E. Haynes and J. B. Barner, J. Appl. Phys. 89, 5543 (2001).
16. J.-L. Lee, Y.-T. Kim and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 73, 1670 (1998).
17. J. M. Langer, C. Delerue, M. Lannoo and H. Heinrich, Phys. Rev. B 38, 7723 (1988).