Influence of technological parameters on the behavior of the hole effective mass in SiGe structures

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 4, 2000, Pages 1978-1982

  Rodríguez, Salvador ^a   Gamiz F ^a   Palma, A ^a   Cartujo, P ^a   Carceller, J E ^a  

^a UNIVERSITY OF GRANADA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042348620     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1304839     Document Type: Article

References (24)

1. T. E. Whall and E. H. C. Parker, J. Phys. D 31, 1397 (1998).
2. D. K. Nayak, J. C. S. Woo, J. S. Park, K. L. Wang, and K. P. MacWilliams, Appl. Phys. Lett. 62, 2853 (1993).
3. D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 64, 2373 (1994).
4. D. K. Nayak, J. C. S. Woo, J. S. Park, K. L. Wang, and K. P. MacWilliams, IEEE Trans. Electron Devices 43, 180 (1996).
5. S. Cheon, S. C. Lee, S. Hong, and K. H. Yoo, Solid-State Electron. 39, 7 (1996).
6. K. B. Joellson, Y. Fu, W. X. Ni, and G. V. Hansson, J. Appl. Phys. 81, 1264 (1997).
7. C. K. Maiti, L. K. Bera, S. S. Dey, D. K. Nayak, and N. B. Chakrabarti, Solid-State Electron. 41, 1863 (1997).
8. A. Sadek, K. Ismail, M. A. Armstrog, D. A. Antoniadis, and F. Stern, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1224 (1996).
9. R. J. P. Lander, C. J. Emeleus, M. M. McGregor, E. H. C. Parker, T. E. Whall, A. G. R. Evans, and G. P. Kennedy, J. Appl. Phys. 82, 5210 (1997).
10. A. Sadek, S. E. D. Habib, and K. Ismail, Solid-State Electron. 38, 1969 (1995).
11. G. F. Niu, G. Ruan, and D. H. Zhang, Solid-State Electron. 39, 69 (1996).
12. J. M. Hinckley and J. Singh, Phys. Rev. B 41, 2912 (1990).
13. T. Yamada and D. K. Ferry, Solid-State Electron. 38, 881 (1995).
14. T.-S. Liou, T. Wang, and C.-Y Chang, J. Appl. Phys. 79, 259 (1996).
15. K. Bhaumik, Y. Shacham-Diamand, J. P. Noël, J. Bevk, and L. C. Feldman, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1965 (1996).
16. M. J. Hargrove, A. K. Henning, J. A. Slinkman, and J. C. Bean, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 94, 735 (1994).
17. J. M. Luttinger and W. Kohn, Phys. Rev. 97, 869 (1955).
18. J. M. Luttinger, Phys. Rev. 102, 1030 (1956).
19. G. E. Pikus and G. L. Bir, Sov. Phys. Solid State 1, 1502 (1959).
20. G. L. Bir and G. E. Pikus, Sov. Phys. Solid State 2, 2039 (1961).
21. S. Rodríguez, J. A. López- Villanueva, I. Melchor, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 86, 438 (1999).
22. C. Y.-P. Chao and S. L. Chuang, Phys. Rev. B 43, 7027 (1991).
23. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 48, 538 (1986).
24. S. I. Subramanian, G. L. Patton, J. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2043 (1989).