Growth of isolated carbon nanotubes with lithographically defined diameter and location

Nano Letters

Volumn 3, Issue 2, 2003, Pages 257-259

  Duesberg, Georg S ^a   Graham, Andrew P ^a   Liebau, Maik ^a   Seidel, Robert ^a   Unger, Eugen ^a   Kreupl, Franz ^a   Hoenlein, Wolfgang ^a  

^a INFINEON TECHNOLOGIES AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON; SILICON; SILICON DIOXIDE;

ACCURACY; ARTICLE; BATCH PROCESS; CATALYST; DEVICE; METHODOLOGY; NANOPARTICLE; NANOTECHNOLOGY; OPTICS; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTOR; SYNTHESIS; TUBE; VAPOR;

EID: 0041452103     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl025906c     Document Type: Article

References (18)

1. Baughman, R. H.; Zakhidov, A. A.; de Heer, W. A. Science 2002, 297, 787-792.
2. Kreupl, F.; Graham, A. P.; Duesberg, G. S.; Steinhögl, W.; Liebau, M.; Unger, E.; Hönlein, W. Microelectron. Eng. 2002, 64, 399-408.
3. Steinhögl, W.; Schindler, G.; Steinlesberger, G.; Engelhard, M. Phys. Rev. B 2002, 66, 75414.
4. Wei, B. Q.; Vajtai, R.; Ajayan, P. M. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1172-1174.
5. Duesberg, G. S.; Muster, J.; Byrne, H. J.; Roth, S.; Burghard, M. Appl. Phys. A 1999, 69, 269-274.
6. Murphy, R.; Coleman, J. N.; Cadek, M.; McCarthy, B.; Bent, M.; Drury, A. ; Barklie, R. C.; Blau, W. J. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 3087-3091.
7. Choi, K. H.; Bourgoin, J. P.; Auvray, S.; Esteve, D.; Duesberg, G. S.; Roth, S.; Burghard, M. Surf. Sci. 2000, 462, 195-202.
8. Duan, X. F.; Huang, Y.; Cui, Y.; Wang, J. F.; Lieber, C. M. Nature 2001, 409, 66-69.
9. Ren, Z. F.; Huang, Z. P.; Xu, J. W.; Wang, J. H.; Bush, P.; Siegal, M. P.; Provencio, P. N. Science 1998, 282, 1105-1107.
10. Duesberg, G. S.; Kreupl, F.; Graham, A.; Liebau, M.; Unger, E.; Gabric, Z.; Hönlein, W. In IWEPNM 2002; Kuzmany, H., Fink, J., Mehring, M., Roth, S., Eds.; AIP Proceedings: Kirchberg, 2002; Vol. 633, p 157.
11. Duesberg, G. S.; Kreupl, F.; Graham, A.; Liebau, M.; Unger, E.; Gabric, Z.; Hönlein, W. In IWEPNM 2002; Kuzmany, H., Fink, J., Mehring, M., Roth, S., Eds.; AIP Proceedings: Kirchberg, 2002; Vol. 633, p 157.
12. Jeong, S. H.; Hwang, H. Y.; Lee, K. H.; Jeong, Y. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2052-2054.
13. Li, Y.; Kim, W.; Zhang, Y.; Rolandi, M.; Wang, D.; Dai, H. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 11424-11431.
14. Cheung, C. L.; Kurtz, A.; Park, H.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 2429-2433.
15. Steinlesberger, G.; Engelhard, M.; Schindler, G.; Kretz, J.; Steinhögl, W.; Bertagnolli, E. Solid-State Electron. 2002, in print.
16. Steinlesberger, G.; Engelhard, M.; Schindler, G.; Steinhögl, W.; von Glasow, A.; Mosig, K.; Bertagnolli, E. Microelectron. Eng. 2002, 64, 409-416.
17. Kreupl, F.; Graham, A.; Honlein, W. Solid State Technol. 2002, 45, S9-+.
18. Lee, Y. T.; Park, J.; Choi, Y. S.; Ryu, H.; Lee, H. J. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 7614-7618.