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Volumn 69, Issue 25, 1996, Pages 3866-3868

Effects of low temperature preannealing on ion-implant assisted intermixing of Si1-xGex/Si quantum wells

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EID: 0041410890     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117131     Document Type: Article
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References (24)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.