High-quality Si-implanted In0.53Ga0.47As epitaxial layers and their application to n+ p junction devices

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 7, 2000, Pages 3478-3482

  Blanco, M N ^a   Redondo, E ^a   Calle, F ^a,b   Martil I ^a   Gonzalez Diaz G ^a  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012753672     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372369     Document Type: Article

References (30)

1. L. Y. Leu, J. T. Gardner, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys. 69, 1052 (1991).
2. A. Ouacha, M. Wilander, R. Plana, J. Graffeuil, and L. Escorte, Appl. Phys. Lett. 78, 2565 (1995).
3. Y. G. Wey, D. L. Crawford, K. Giboney, J. E. Bowers, M. J. Rodwell, P. Silvestre, M. J. Hafich, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 58, 2156 (1991).
4. D. S. Kim, S. R. Forrest, M. J. Lange, G. H. Olsen, and W. Kosonocky, IEEE Photonics Technol. Lett. 8, 566 (1996).
5. J. G. Bauer, H. Albbrecht, L. Hoffmann, D. Römer, and J. W. Walter, IEEE Photonics Technol. Lett. 4, 253 (1992).
6. M. V. Rao, S. M. Gulwadi, P. E. Thompson, A. Fathimulla, and O. A. Aina, J. Electron. Mater. 18, 131 (1989).
7. T. Penna, B. Tell, A. S. H. Liao, T. J. Bridges, and G. Burkhardt, J. Appl. Phys. 57, 351 (1985).
8. B. J. Sealy, M. A. Shahid, M. Anjum, S. S. Gill, and J. H. Marsh, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 7, 423 (1985).
9. M. V. Rao and W. Kruppa, Electron. Lett. 22, 299 (1986).
10. E. Hailemariam, S. J. Pearton, W. S. Hobson, H. S. Luftman, and A. P. Perley, J. Appl. Phys. 71, 215 (1992).
11. S. G. Liu, S. Y. Narayan, C. W. Magee, C. P. Wu, F. Kolondra, J. P. Paczkowski, and D. R. Capewell, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 92, 375 (1987).
12. M. Maier and J. Selders, J. Appl. Phys. 60, 2783 (1986).
13. S. J. Pearton, W. S. Hobson, A. P. Kinsella, J. Kovalchick, U. K. Chakrabarti, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 56, 1263 (1990).
14. B. Tell, R. F. Leheny, A. S. H. Liao, T. J. Bridges, E. G. Burkhardt, T. Y. Chang, and E. D. Beebe, Appl. Phys. Lett. 44, 438 (1984).
15. A. Zemel, B. Tell, R. F. Leheny, T. Harrison, T. J. Bridges, E. G. Burkhardt, A. S. H. Laio, and E. D. Beebe, J. Appl. Phys. 56, 1856 (1984).
16. M. N. Blanco, E. Redondo, C. León, J. Santamaría, and G. González-Díaz, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 147, 166 (1999).
17. Epitaxial Products International Ltd., Cypress Drive, St. Mellons, Cardiff, CF3 0EG, UK.
18. M. N. Blanco, E. Redondo, C. León, J. Santamaría, and G. González-Díaz, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 10, 425 (1999).
19. W. Lee and C. G. Fonstad, J. Appl. Phys. 61, 5272 (1987).
20. M. V. Rao, S. M. Gulwadi, P. E. Thompson, A. Fathimulla, and O. A. Aina, J. Electron. Mater. 18, 131 (1989).
21. A. Chandra, C. E. C. Wood, D. W. Wooddard, and L. F. Eastman, Solid-State Electron. 22, 645 (1979).
22. Y. Takeda, in GaInAsP Alloy Semiconductors, edited by T. P. Pearsall (Wiley, New York, 1982), Chap. 9, p. 227.
23. Y.-S. Chen and O. Kim, J. Appl. Phys. 52, 7392 (1981).
24. A. F. S. Penna, J. Shah, A. E. DiGiovanni, and A. G. Dentai, Solid State Commun. 51, 217 (1984).
25. A. F. S. Penna, J. Shah, T. Y. Chang, M. S. Burroughs, R. E. Nahory, M. Tamargo, and H. M. Cox, Solid State Commun. 51, 425 (1984).
26. P. K. Bhattacharya, W. H. Goodman, and M. V. Rao, J. Appl. Phys. 55, 509 (1984).
27. Y. K. Su, M. C. Wu, C. H. Huang, and B. S. Chiu, J. Appl. Phys. 64, 2211 (1988).
28. D. J. Olego and H. B. Serreze, J. Appl. Phys. 58, 1979 (1985).
29. H. X. Yuan, D. Grubisic, and T. T. S. Wong, J. Electron. Mater. 28, 39 (1999).
30. J. M. Martin, S. Garcia, I. Mártil, G. González-Díaz, E. Castán, and S. Dueñas, J. Appl. Phys. 78, 5325 (1995).