Chemically assisted ion beam etching of submicron features in GaSb

Applied Physics Letters

Volumn 72, Issue 11, 1998, Pages 1350-1352

  Nagy, G ^a   Ahmad, R U ^a   Levy, M ^a   Osgood Jr , R M ^a   Manfra, M J ^b   Turner, G W ^b  

^a Columbia University ^*  (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037867240     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.120570     Document Type: Article

References (23)

1. D. H. Chow, E. T. Yu, J. R. Soderstrom, D. Z.-Y. Ting, and T. C. McGill, J. Appl. Phys. 68, 3744 (1990).
2. K. F. Longenbach and L. F. Luo, Appl. Phys. Lett. 57, 1554 (1990).
3. J. R. Soderstrom, D. H. Chow, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 55, 1094 (1989).
4. L. F. Luo, R. Beresford, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 55, 2023 (1989).
5. D. H. Chow, H. L. Dunlap, W. Williamson III, S. Enquist, B. K. Gilbert, S. Subramanian, P.-M. Lei, and G. H. Bernstein, IEEE Electron Device Lett. 17, 69 (1996).
6. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and V. Kumar, J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997).
7. A. G. Milnes and A. Y. Polyakov, Solid-State Electron. 36, 803 (1993).
8. Infrared Applications of Semiconductors-Materials, Processing, and Devices, edited by M. O. Manasreh, T. H. Myers, and F. H. Julien [Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 450, (1997)].
9. O. Hildebrand, W. Kuebart, K. W. Benz, and M. H. Pilkuhn, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 284 (1981).
10. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 849 (1995).
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. F. Kopf, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 141, 2250 (1994).
12. S. S. Ou, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3226 (1996).
13. J.-L. Lin, M. B. Freiler, M. Levy, R. M. Osgood, Jr., D. Collins, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 67, 3563 (1995).
14. J. D. Chinn, A. Fernandez, I. Adesida, and E. D. Wolf, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 701 (1983).
15. M. Hagberg, B. Jonsson, and A. G. Larsson, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 555 (1994).
16. M. W. Geis, G. A. Lincoln, N. Efremow, and W. J. Piacentini, J. Vac. Sci. Technol. 19, 1390 (1981).
17. Y. S. Chieh, J. P. Krusius, and P. Chapman, J. Electrochem. Soc. 141, 1585 (1994).
18. B. P. van der Gaag and A. Scherer, Appl. Phys. Lett. 56, 481 (1990).
19. L. M. Bharadwaj, P. Bonhomme, J. Faure, G. Balossier, and R. P. Bajpai, Proc. SPIE 1593, 186 (1991).
20. R. J. Davis and E. D. Wolf, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1798 (1990).
21. W. J. Grande, J. E. Johnson, and C. L. Tang, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1075 (1990).
22. A. Scherer, H. G. Craighead, M. L. Roukes, and J. P. Harbison, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 277 (1988).
23. M. Balooch, D. R. Olander, and W. J. Siekhaus, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 794 (1986).