Reactive ion etching of GaSb and GaAISb using SiCl4

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 5, 1996, Pages 3226-3229

  Ou, S S ^a,b  

^a INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

^b Taiwan Liton Electronic Co   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0038204971     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (15)

1. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, W. S. Hobson, and A. P. Kinsella, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 607 (1990).
2. G. J. Sonek and J. M. Ballantyne, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 653 (1984).
3. J. Chaplart, B. Fay, and N. T. Linh, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 1050 (1983).
4. M. B. Stein and P. F. Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 1053 (1983).
5. S. Semura, H. Saitoh, and K. Asakawa, J. Appl. Phys. 55, 3131 (1984).
6. W. T. Tsang and N. A. Olsson, Appl. Phys. Lett. 43, 8 (1983).
7. H. K. Choi and S. J. Eglash, Appl. Phys. Lett. 59, 1165 (1991).
8. M. P. Houng, Y. H. Wang, C. L. Shen, J. F. Chen, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 60, 713 (1992).
9. K. F. Longenbach and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 59, 1117 (1991).
10. S. S. Ou, J. J. Yang, and M. Jansen, Appl. Phys. Lett. 57, 1861 (1990).
11. K. Asakawa and S. Sugata, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 402 (1985).
12. C. H. Gavin, D. B. Linda, C. G. David, T. Igor, H. S. Herbert, and M. T. Mocella, J. Electrochem. Soc. 137, 3526 (1990).
13. S. K. Murad, C. D. W. Wilkinson, P. D. Wang, W. Parks, C. W. Sotomayer-Torres, and N. Cameron, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2237 (1993).
14. Y. S. Tang and C. D. W. Wilkinson, Appl. Phys. Lett. 59, 2898 (1991).
15. B. N. Chapman and V. J. Minkiewicz, J. Vac. Sci. Technol. 15, 329 (1978).