Electron cyclotron resonance plasma etching of GaSb-based alloys

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 7, 2000, Pages 1008-1010

  Ahmad, R U ^a   Nagy, G ^a,c   Osgood Jr , R M ^a   Turner, G W ^b   Manfra, M J ^b   Chludzinski, J W ^b  

^a Howard Hughes Medical Institute   (United States)

^b MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (United States)

^c Cornell University ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0037867228     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1289058     Document Type: Article

References (17)

1. G. W. Turner, H. K. Choi, D. R. Calawa, J. V. Pantano, and J. W. Chludzinski, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1266 (1994).
2. C. Caneau, J. L. Zyskind, J. W. Sulhoff, T. E. Glover, J. Centanni, C. A. Burrus, A. G. Dentai, and M. A. Pollack, Appl. Phys. Lett. 51, 764 (1987).
3. H. K. Choi, C. A. Wang, G. W. Turner, M. J. Manfra, D. L. Spears, G. W. Charache, L. R. Danielson, and D. M. Depoy, Appl. Phys. Lett. 71, 3758 (1997).
4. H. Xie, J. Piao, J. Katz, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 70, 3152 (1991).
5. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and V. Kumar, J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997).
6. M. Arafa, C. Youtsey, R. Grundbacher, I. Adesida, and J. Klem, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3623 (1994).
7. G. Nagy, R. U. Ahmad, M. Levy, R. M. Osgood, Jr., M. J. Manfra, and G. W. Turner, 45th International Symposium of the American Vacuum Society, Paper No. NS-TnM3 (1998) (unpublished).
8. S. J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1966 (1994).
9. D. C. Tulipe, D. J. Frank, and H. Munekata, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 216, 251 (1991).
10. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 849 (1995).
11. R. van Roijen, C. W. T. Bulle-Lieuwma, and E. A. Monte, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2188 (1992).
12. E. M. Clausen, Jr., H. G. Craighead, J. M. Worlock, J. P. Harbison, L. M. Schiavone, L. Florez, and B. Van der Gaag, Appl. Phys. Lett. 55, 1427 (1989).
13. M. B. Freiler, M. C. Shih, S. Kim, M. Levy, I. P. Herman, R. Scarmozzino, and R. M. Osgood, Jr., Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A63, 143 (1996).
14. G. W. Charache, P. F. Baldasaro, L. R. Danielson, D. M. DePoy, M. J. Freeman, C. A. Wang, H. K. Choi, D. Z. Garbuzov, R. U. Marinelli, V. Khalfin, S. Saroop, J. M. Borrego, and R. J. Gutmann, J. Appl. Phys. 85, 2247 (1999).
15. E. Marin, I. Riech, P. Diaz, J. J. Alvarado-Gil, R. Baquero, J. G. Mendoza-Alvarez, H. Vargas, A. Cruz-Orea, and M. Vargas, J. Appl. Phys. 83, 2604 (1998).
16. C. A. Wang and H. K. Choi, J. Electron. Mater. 26, 1231 (1997).
17. A. Salesse, R. Alabedra, Y. Chen, M. Lakrimi, R. J. Nicholas, N. J. Mason, and P. J. Walker, Semicond. Sci. Technol. 12, 413 (1997).