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Volumn 207, Issue 2, 2003, Pages 175-185

The impact of low energy proton damage on the operational characteristics of EPIC-MOS CCDs

Author keywords

Charge transfer inefficiency; Charge coupled device; Metal oxide semiconductor; Proton damage

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; MOS DEVICES; PROTONS;

EID: 0037508501     PISSN: 0168583X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0168-583X(03)00832-2     Document Type: Article
Times cited : (12)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.