Ultrathin oxides using N2O on strained Si1-xGex layers

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 9, 1996, Pages 1262-1264

  Mukhopadhyay, M ^a   Ray, S K ^a   Nayak, D K ^a   Maiti, C K ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000652978     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.115946     Document Type: Article

References (25)

1. S. S. Iyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Harame, IEEE Trans. Electron Devices INS 36, 2043 (1989).
2. R. People, IEEE J. Quantum Electron. INS 22, 1696 (1986).
3. F. K. Legoues, R. Rosenberg, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. AIP 54, 644 (1989).
4. D. K. Nayak, K. Kamjoo, J. S. Park, J. C. S. Woo, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. AIP 57, 369 (1990).
5. O. Vancauwenberghe, O. C. Hellman, N. Herbot, and W. J. Tan, Appl. Phys. Lett. AIP 59, 2031 (1991).
6. I. S. Goh, S. Hall, W. Eccleston, J. F. Zhang, and K. Werner, Electron. Lett. INS 30, 1998 (1994).
7. P. W. Li and E. S. Yang, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 2938 (1993).
8. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, C. K. Maiti, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. AIP 65, 895 (1994).
9. M. Mukhopadhyay, S. K. Ray, C. K. Maiti, D. K. Nayak, and Y. Shiraki, J. Appl. Phys. AIP 78, 6135 (1995).
10. T. Hori, H. Iwasaki, and K. Tsuji, IEEE Trans. Electron Devices INS 36, 340 (1989).
11. H. Fukuda, M. Yasuda, T. Iwabuchi, and S. Ohno, IEEE Electron Device Lett. INS 12, 587 (1991).
12. M. Dutoit, D. Bouvet, J. Mi, and N. Novkovski, and P. Letourneau, Microelectronics J. INS 25, 539 (1994).
13. R. LeBihan, E. Andre-Benoit, C. Papadas, F. Pio, and C. Riva, Microelectronics J. INS 25, 577 (1994).
14. D. Krueger, R. Kurps, and G. Weidner, Semicond. Sci. Technol. INS 8, 1706 (1993).
15. G. J. Dunn and J. T. Krick, IEEE Trans. Electron Devices INS 38, 901 (1991).
16. Y. Lin-Wu and J. G. Hwu, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 12, 2400 (1994).
17. D. K. Nayak, N. Usami, S. Fukatsu, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. AIP 63, 3509 (1993).
18. S. K. Ray, C. K. Maiti, S. K. Lahiri, and N. B. Chakrabarti, J. Vac. Sci. Technol. B AIP 10, 1139 (1992).
19. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid State Electron. INS 23, 987 (1980).
20. K. Bhaumik and Y. Shacham-Diamand, Solid State Electron. INS 36, 961 (1993).
21. S. P. Voinigescu, K. Iniewski, R. Lisak, C. A. T. Salama, J.-P. Noel, and D. C. Houghton, Solid State Electron. INS 37, 1491 (1994).
22. S. S. Iyer, P. M. Solomon V. P. Kesan, A. A. Bright, J. L. Freeouf, T. N. Nguyen, and A. C. Warren, IEEE Electron Device Lett. INS 12, 246 (1991).
23. D. K. Nayak, Ph.D Dissertation, Univ. of California, Los Angeles (1992), p. 53.
24. M. Y. Hao, B. Maiti, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. AIP 64, 2102 (1994).
25. C. T. Sah, Solid State Electron. INS 33, 147 (1990).