Origin of 3 × 3 diffraction on the Sn1-xSix/Si(1 1 1) √3 × √3 surface

Surface Science

Volumn 531, Issue 1, 2003, Pages 21-28

  Zhang, H M ^a   Jemander, S T ^a   Lin, N ^a,b   Hansson, G V ^a   Uhrberg, R I G ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

Author keywords

Alloys; Low energy electron diffraction (LEED); Scanning tunneling microscopy; Silicon; Surface structure, morphology, roughness, and topography; Tin

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTAL ORIENTATION; FOURIER TRANSFORMS; LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SILICON; TIN;

SURFACE LAYERS;

SURFACE ROUGHNESS;

EID: 0037431522     PISSN: 00396028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00493-X     Document Type: Article

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