Influence of low-temperature interlayers on strain and defect density of epitaxial GaN layers

Journal of Crystal Growth

Volumn 248, Issue SUPPL., 2003, Pages 528-532

  Rossow, U ^a   Hitzel, F ^a   Riedel, N ^a   Lahmann, S ^a   Blasing J ^b   Krost, A ^b   Ade, G ^c   Hinze, P ^c   Hangleiter, A ^a  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^c PHYSIKALISCH TECHNISCHE BUNDESANSTALT   (Germany)

Author keywords

A1. Defects; A1. Stresses; A3. Low press metalorganic vapor phase epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III V materials

Indexed keywords

DEFECTS; ETCHING; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; STRAIN;

INTERLAYERS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037291754     PISSN: 00220248     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01883-3     Document Type: Conference Paper

References (10)

1. Amano H., Iwaya M., Hayashi N., Kashima T., Katsuragawa M., Takeuchi T., Wetzel C., Akasaki I. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1:1999;G10.1.
2. Dadgar A., Poschenrieder M., Bläsing J., Fehse K., Diez A., Krost A. Appl. Phys. Lett. 80:2002;3670.
3. Keller S., Parish G., Speck J.S., DenBaars S.P., Mishra U.K. Appl. Phys. Lett. 77:2000;2665.
4. Kachi T., Tomita K., Itoh K., Tadano H. Appl. Phys. Lett. 72:1998;704.
5. Chen Y., Takeuchi T., Amano H., Akasaki I., Yamada N., Kaneko Y., Wang S.Y. Appl. Phys. Lett. 72:1998;710.
6. Liliental-Weber Z., Chen Y., Ruvimov S., Washburn J. Phys. Rev. Lett. 79:1997;2835.
7. Off J. Epitaxie und optoelektronische Eigenschaften von GaN und verwandten Verbindungshalbleitern. 2001;Shaker Verlag, Aachen, Germany.
8. Funato K., Hashimoto S., Yanashima K., Nakamura F., Ikeda M. Appl. Phys. Lett. 75:1999;1137.
9. Iwaya M., Terao S., Sano T., Takanami S., Ukai T., Nakamura R., Kamiyama S., Amano H., Akasaki I. Phys. Stat. Sol. A. 188:2001;117.
10. Bourret-Courchesne E.D., Kellermann S., Yu K.M., Benamara M., Lilienthal-Weber Z., Washburn J., Irvine S.J.C., Stafford A. Appl. Phys. Lett. 77:2000;3562.