Nonequilibrium spin accumulation and tunneling magnetoresistance in a ferromagnet/semiconductor/ferromagnet double tunnel junction

Journal of Magnetism and Magnetic Materials

Volumn 251, Issue 2, 2002, Pages 163-168

  Tao, Y C ^a,b   Xing, D Y ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

^b NANJING NORMAL UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Barrier strength; Bias voltage; FM SM FM structure; Nonequilibrium spin accumulation; Tunneling magnetoresistance

Indexed keywords

ELECTRIC POTENTIAL; MAGNETIZATION; MAGNETORESISTANCE; METALLIC FILMS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

TUNNELING MAGNETORESISTANCE (TMR);

FERROMAGNETIC MATERIALS;

EID: 0036801326     PISSN: 03048853     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0304-8853(02)00493-6     Document Type: Article

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