Effect of surfactant Sb on carrier lifetime in GaInP epilayers

Journal of Applied Physics

Volumn 91, Issue 1, 2002, Pages 199-203

  Fetzer, C M ^a   Lee, R T ^a   Stringfellow, G B ^a   Liu, X Q ^b   Sasaki, A ^b   Ohno, N ^b  

^a University of Utah   (United States)

^b OSAKA ELECTRO COMMUNICATION UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAP ENERGY; BANDGAP MATERIALS; COMPOSITION MODULATIONS; DEGREE OF ORDER; EXPONENTIAL DECAYS; GAAS; GAINP; IN-BAND; LOCALIZED EXCITON; TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE;

SURFACE ACTIVE AGENTS;

ENERGY GAP;

EID: 0036139269     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1423396     Document Type: Article

References (31)

1. G. B. Stringfellow, Organometallic Vapor-Phase Epitaxy, Theory and Practice, 2nd ed. (Academic, San Diego, CA, 1999), pp. 6-8.
2. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook of Semiconductors, edited by T. S. Moss (Elsevier Science B. V., Amsterdam, 1994), Vol. 3, p. 1399.
3. S. B. Zhang, S. Froyen, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 67, 3141 (1995).
4. G. B. Stringfellow, in Thin Films: Heteroepitaxial Systems, edited by M. Santos and W. K. Liu (World Scientific, Singapore, 1998), p. 64.
5. G. B. Stringfellow, MRS Bull. 22, 27 (1997).
6. J. Mirecki Millunchick, R. D. Twesten, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, E. D. Jones, S. P. Ahrenkiel, Y. Zhang, H. M. Cheong, and A. Mascarenhas, MRS Bull. 22, 38 (1997).
7. J. K. Shurtleff, R. T. Lee, C. M. Fetzer, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 75, 1914 (1999).
8. T. Y. Seong, S. M. Lee, R. T. Lee, J. K. Shurtleff, and G. B. Stringfellow, Surf. Sci. 457, L381 (2000).
9. C. M. Fetzer, R. T. Lee, J. K. Shurtleff, G. B. Stringfellow, S. M. Lee, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 1440 (2000).
10. C. M. Fetzer, R. T. Lee, S. W. Jun, G. B. Stringfellow, S. M. Lee, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 78, 1376 (2001).
11. R. T. Lee, C. M. Fetzer, S. W. Jun, D. C. Chapman, J. K. Shurtleff, G. B. Stringfellow, Y. W. Ok, and T. Y. Seong, J. Cryst. Growth 233, 490 (2001).
12. L. C. Su, I. H. Ho, N. Kobayashi, and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 145, 140 (1994).
13. A. Mascarenhas, S. Kurtz, A. Kibbler, and J. M. Olson, Phys. Rev. Lett. 63, 2108 (1989).
14. A. Franschetti, S. H. Wei, and A. Zunger, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 417, 103 (1995).
15. Y. Zhang et al., J. Appl. Phys. 81, 6365 (1997).
16. P. J. Pearah, A. C. Chen, A. M. Moy, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, IEEE J. Quantum Electron. QE-30, 608 (1994).
17. C. M. Fetzer, R. T. Lee, D. C. Chapman, and G. B Stringfellow, J. Appl. Phys. 90, 1040 (2001).
18. T. Okuno, H. W. Ren, M. Sugisaki, K. Nishi, S. Suguo, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 57, 1386 (1998).
19. M. Sugisaki, H. W. Ren, K. Nishi, S. Suguo, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 61, 16040 (2000).
20. S. Minagawa, M. Kondow, and H. Kakibayashi, Electron. Lett. 25, 1439 (1989).
21. S. H. Wei, D. B. Laks, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 62, 1937 (1993).
22. A. Sasaki, K. Tsuchida, Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, Y. Hsu, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 89, 343 (2001).
23. T. Mattila, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 83, 2010 (1999).
24. H. M. Cheong, A. Mascarenhas, S. P. Ahrenkiel, K. M. Jones, J. F. Geisz, and J. M. Olson, J. Appl. Phys. 83, 5418 (1998).
25. M. C. DeLong, W. D. Ohlsen, I. Viohl, P. C. Taylor, and J. M. Olson, J. Appl. Phys. 70, 2780 (1991).
26. R. A. J. Thomeer, F. A. J. M. Driessen, and L. J. Giling, Appl. Phys. Lett. 66, 1960 (1995).
27. P. Yu and M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors, Physics and Materials Properties (Springer, Berlin, 1996), pp. 182-183.
28. R. A. Faulkner, Phys. Rev. 175, 991 (1968).
29. E. Cohen and M. D. Sturge, Phys. Rev. B 25, 3828 (1981).
30. K. Shina, A. Mascarenhas, G. S. Horner, K. A. Bertness, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, Phys. Rev. B 50, 7509 (1994).
31. S. Dowdy and S. Wearden, Statistics for Research (Wiley, New York, 1983), pp. 108-111.