Spectroscopic study of surfactant enhanced organometallic vapor phase epitaxy growth of GaInP

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 2, 2001, Pages 1040-1046

  Fetzer, C M ^a   Lee, R T ^a   Chapman, D C ^a   Stringfellow, G B ^a  

^a University of Utah   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347155094     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1378060     Document Type: Article

References (36)

1. G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 52, 194 (1982).
2. G. B. Stringfellow, J. Electron. Mater. 11, 903 (1982).
3. F. Glas, J. Appl. Phys. 62, 3201 (1987).
4. A. Zunger and S. Mahajan, in Handbook of Semiconductors, edited by T. S. Moss (Elsevier Science, Amsterdam, 1994), Vol. 3, p. 1399.
5. J. Mirecki Millunchick et al., MRS Bull. 22, 38 (1997).
6. S. T. Chou, K. C. Hsieh, K. Y. Cheng, and L. J. Chou, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 650 (1995).
7. K. Y. Cheng, K. C. Hsieh, and J. N. Baillargeon, Appl. Phys. Lett. 60, 2892 (1993).
8. J. Milrecki Millunchick et al., Appl. Phys. Lett. 70, 1402 (1997).
9. K. C. Hsieh, J. N. Baillergeon, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 57, 2244 (1990).
10. P. J. Pearah, A. C. Chen, A. M. Moy, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, IEEE J. Quantum Electron. 30, 608 (1994).
11. S. W. Jun, T. Y. Seong, J. H. Lee, and B. Lee, Appl. Phys. Lett. 62, 3443 (1996).
12. R. D. Twesten et al., Bull. Am. Phys. Soc. 41, 693 (1996).
13. C. M. Fetzer, R. T. Lee, S. W. Jun, G. B. Stringfellow, S. M. Lee, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 78, 1376 (2001).
14. R. T. Lee, C. M. Fetzer, S. W. Jun, D. C. Chapman, G. B. Stringfellow, S. M. Lee, and T. Y. Seong, J. Cryst. Growth (submitted).
15. C. M. Fetzer, R. T. Lee, J. K. Shurtleff, G. B. Stringfellow, S. M. Lee, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 76, 1440 (2000).
16. T. Y. Seong, S. M. Lee, R. T. Lee, and G. B. Stringfellow, Surf. Sci. 457, L381 (2000).
17. A. Gomyo, K. Makita, I. Hino, and T. Suzuki, Phys. Rev. Lett. 72, 673 (1994).
18. A. Gomyo, K. Makita, I. Hino, and T. Susuki, J. Cryst. Growth 150, 533 (1995).
19. A. Mascarenhas, S. Kurtz, A. Kibbler, and J. M. Olsen, Phys. Rev. Lett. 63, 2108 (1989).
20. D. E. Wohlert, A. M. Moy, L. J. Chou, K. Y. Cheng, and K. C. Hsieh, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1352 (1998).
21. D. E. Wohlert and K. Y. Cheng (private communication).
22. S. H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 64, 1676 (1994).
23. H. Murata, I. H. Ho, L. C. Su, Y. Hosokawa, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 79, 6895 (1996).
24. J. K. Shurtleff, R. T. Lee, C. M. Fetzer, and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 75, 1914 (1999).
25. G. B. Stringfellow, MRS Bull. 22, 27 (1997).
26. D. H. Jaw, M. J. Zou, Z. M. Fang, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 68, 3538 (1990).
27. S. Jin, Y. Zheng, and A. Li, J. Appl. Phys. 82, 3870 (1997).
28. J. E. Fouquet and A. E. Siegman, Appl. Phys. Lett. 46, 280 (1985).
29. E. D. Jones, D. M. Follstaedt, S. K. Lyo, and R. P. Schnieder, Jr., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 281, 61 (1993).
30. E. Cohen and M. D. Sturge, Phys. Rev. B 25, 3828 (1982).
31. M. Sugisaki, H.-W. Ren, K. Nishi, S. Sugou, and Y. Masumoto, Phys. Rev. B 61, 16040 (2000).
32. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, and H. Schweizer, Phys. Status Solidi B 193, 213 (1996).
33. A. C. Chen, A. M. Moy, L. J. Chou, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 66, 2694 (1995).
34. Y. Zhang and A. Mascarenhas, Phys. Rev. B 57, 12 245 (1998).
35. A. Mascarenhas, R. G. Alonso, G. S. Horner, S. Froyen, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Superlattices Microstruct. 12, 57 (1992).
36. T. Mattila, L. W. Wang, and A. Zunger, Phys. Rev. B 59, 15 270 (1999).