Existence and atomic arrangement of the CuPt-type ordered structure near the ZnTe/GaAs heterointerface due to residual impurities

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 8, 2001, Pages 4027-4031

  Lee, H S ^a   Lee, J Y ^a   Kim, T W ^b   Lee, D U ^b   Choo, D C ^b   Park, H L ^c  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b Kwangwoon University   (South Korea)

^c Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035886227     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1405820     Document Type: Article

References (26)

1. F. Capasso, Physics of Quantum Electron Devices (Springer-Berlag, Heidelberg, 1990).
2. C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures (Academic, Boston, 1991).
3. D. K. Ferry and C. Jacononi, Quantum Transport in Semiconductors (Plenum, New York, 1992).
4. J. Qiu, J. M. Depuydt, H. Cheng, and M. A. Haase, Appl. Phys. Lett. 59, 2992 (1991).
5. Z. Yu, S. L. Buczkowski, M. C. Petcu, N. C. Giles, and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 68, 529 (1996).
6. A. Iribarren, R. Castro-Rodriguez, F. Callero-Briones, and J. L. Pena, Appl. Phys. Lett. 74, 2957 (1999).
7. H. Nakata, K. Yamada, and T. Ohyama, Appl. Phys. Lett. 74, 3480 (1999).
8. C. Jordan, J. F. Donegan, J. Hegarty, B. J. Roycroft, S. Taniguchi, T. Hino, E. Kato, N. Noguchi, and A. Ishibashi, Appl. Phys. Lett. 74, 3359 (1999).
9. Y. Rajakarunanayake, B. H. Cole, J. O. Caldin, D. H. Chow, J. R. Soderstorm, T. C. McGill, and C. M. Jones, Appl. Phys. Lett. 55, 1217 (1989).
10. Y. W. Mo, B. S. Swartzentruber, R. Kariotis, M. B. Webb, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 63, 2393 (1989).
11. Y. Hishida, T. Toda, and T. Yamaguchi, J. Cryst. Growth 117, 396 (1992).
12. B. Qu'Hen, W. S. Kuhn, A. Lusson, and O. Gorochov, J. Cryst. Growth 159, 138 (1996).
13. T. W. Kim, H. L. Park, J. Y. Lee, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 65, 2597 (1994).
14. T. W. Kim, H. L. Park, and J. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 67, 2388 (1995).
15. S. L. Zhang, Y. T. Hou, M. Y. Shen, J. Li, and S. X. Yuan, Phys. Rev. B 47, 12937 (1993).
16. H. Kuwabara, H. Asai, H. Tatsuoka, T. Nakamura, Y. Nakanishi, and H. Fujiyasu, J. Cryst. Growth 159, 839 (1996).
17. M. Ekawa and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 28, L1341 (1989).
18. T. W. Kim, B. J. Koo, M. Jung, S. B. Kim, H. L. Park, H. Lim, J. I. Lee, and K. N. Kang, J. Appl. Phys. 71, 1049 (1992).
19. B. A. Philips, A. G. Norman, T. Y. Seong, S. Mahajan, G. R. Booker, M. Skowronski, J. P. Harbison, and V. G. Keramidas, J. Cryst. Growth 140, 249 (1994).
20. P. Gavrilovic, F. P. Dabkowski, K. Meehan, J. E. Williams, W. Stutius, K. C. Hsieh, N. Holonyak, Jr., M. A. Shahid, and S. Mahajan, J. Cryst. Growth 93, 426 (1988).
21. M. Kondow, H. Kakibayashi, S. Minagawa, Y. Inoue, T. Nishino, and Y. Hamakawa, Appl. Phys. Lett. 53, 2053 (1988).
22. T. Y. Seong, G. R. Booker, A. G. Norman, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 64, 3593 (1994).
23. L. C. Su, I. H. Ho, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 76, 352 (1994).
24. S.-H. Wei, L. G. Ferreira, and A. Zunger, Phys. Rev. B 41, 8240 (1990).
25. S. Bauer, A. Rosenauer, J. Skorsetz, W. Kuhn, H. P. Wagner, J. Zweck, and W. Gebhardt, J. Cryst. Growth 117, 297 (1992).
26. A. F. Schwartzman and R. Sinclair, J. Electron. Mater. 20, 805 (1991).