Role of sulfide ion solvation in the of GaAs surface electronic structure

Semiconductors

Volumn 35, Issue 11, 2001, Pages 1291-1299

  Lebedev, M V ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035510763     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1418074     Document Type: Article

References (37)

1. Y. Ishikawa, T. Fujui, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1163 (1997).
2. C. J. Sandroff, R. N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 51, 33 (1987).
3. S. R. Lunt, G. N. Ryba, P. G. Santangelo, and N. S. Lewis, J. Appl. Phys. 70, 7449 (1991).
4. Z. S. Li, W. Z. Cai, R. Z. Su, et al., Appl. Phys. Lett. 64, 3425 (1994).
5. M. G. Nooney, V. Liberman, and R. M. Martin, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 1837 (1995).
6. L. Koenders, M. Blomacher, and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1416 (1988).
7. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovich, and T. J. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
8. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, et al., Phys. Rev. B 50, 14237 (1994).
9. A. J. Howard, C. I. H. Ashby, J. A. Lott, et al., J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1063 (1994).
10. G. Beister, J. Maege, D. Grutsche, et al., Appl. Phys. Lett. 68, 2467 (1996).
11. T. Ohno and K. Shiraishi, Phys. Rev. B 42, 11194 (1990).
12. K. N. Ow and X. W. Wang, Phys. Rev. B 54, 17661 (1996).
13. G. Hirsch, P. Kruger, and J. Pollmann, Surf. Sci. 402-404, 778 (1998).
14. J. Tomasi and M. Persico, Chem. Rev. 94, 2027 (1994).
15. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, N.-M. Binh, et al., Semicond. Sci. Technol. 13, 611 (1998).
16. C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, et al., J. Appl. Phys. 87, 4591 (2000).
17. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 41, 875 (1999) [Phys. Solid State 41, 793 (1999)].
18. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, M. V. Lebedev, and D. R. T. Zahn, Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 41, 875 (1999) [Phys. Solid State 41, 793 (1999)].
19. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, S. Hohenecker, and D. R. T. Zahn, Phys. Low-Dimens. Struct., Nos. 9/10, 105 (1998).
20. V. N. Bessolov, M. V. Lebedev, Yu. M. Shernyakov, and B. V. Tsarenkov, Mater. Sci. Eng. B B44, 380 (1997).
21. R. Hakimi and M.-C. Amann, Semicond. Sci. Technol. 12, 778 (1997).
22. R. G. Parr and W. Yang, Density Functional Theory of Atoms and Molecules (Oxford Univ. Press, Oxford, 1989).
23. R. G. Pearson, J. Am. Chem. Soc. 85, 3533 (1963).
24. P. W. Ayers and R. G. Parr. J. Am. Chem. Soc. 122, 2010 (2000).
25. F. Méndez and J. L. Gázquez, J. Am. Chem. Soc. 116, 9298 (1994).
26. W. Yang and W. Mortier, J. Am. Chem. Soc. 108, 5708 (1986).
27. P. Piquini, A. Fazzio, and A. Dal Pino, Jr., Surf. Sci. 313, 41 (1994).
28. M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, P. M. W. Gill, B. G. Johnson, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, T. Keith, G. A. Petersson, J. A. Montgomery, K. Raghavachari, M. A. Al-Laham, V. G. Zakrzewski, J. V. Ortiz, J. B. Foresman, J. Cioslowski, B. B. Stefanov, A. Nanayakkara, M. Challacombe, C. Y. Peng, P. Y. Ayala, W. Chen, M. W. Wong, J. L. Andres, E. S. Replogle, R. Gomperts, R. L. Martin, D. J. Fox, J. S. Binkley, D. J. Defrees, J. Baker, J. P. Stewart, M. Head-Gordon, C. Gonzalez, and J. A. Pople, Gaussian 94, Revision D.4 (Gaussian Inc., Pittsburgh, 1995).
29. A. D. Becke, J. Chem. Phys. 98, 5648 (1993).
30. C. Lee, W. Yang, and R. G. Parr, Phys. Rev. B 37, 785 (1988).
31. V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, and M. V. Lebedev, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2761 (1996).
32. Y. Simon-Manso and P. Fuentealba, J. Phys. Chem. A 102, 2029 (1998).
33. M. V. Lebedev and M. Aono, J. Appl. Phys. 87, 289 (2000).
34. W. Yang and R. G. Parr, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 83, 8440 (1985).
35. H.-D. Barth, K. Buchhold, S. Djafari, et al., Chem. Phys. 49, 239 (1998).
36. O. M. Cabarcos, C. J. Weinheimer, T. J. Martinez, and J. M. Lisy, J. Chem. Phys. 110, 9516 (1999).
37. S.-I. Koizumi, H. Yasumatsu, A. Terasaki, and T. Kondow, J. Chem. Phys. 111, 6565 (1999).