Structural, electrical, and optical properties of SnO2 nanocrystalline thin films grown on p-InSb (111) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 1, 2001, Pages 175-180

  Kim, T W ^a   Lee, D U ^a   Lee, J H ^a   Choo, D C ^a   Jung, M ^a   Yoon, Y S ^b  

^a Kwangwoon University   (South Korea)

^b Korea Institute of Science and Technology   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035395408     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1372159     Document Type: Article

References (25)

1. Z. M. Jarzebski and J. P. Marton, J. Electrochem. Soc. 123, 1990 (1976).
2. J. Maier and W. Gopel, J. Solid State Chem. 72, 293 (1988).
3. K. P. Kumar and A. D. Domodaran, J. Mater. Sci. 24, 220 (1989).
4. S. A. Pianaro, P. R. Bueno, E. Longo, and J. A. Varela, J. Mater. Sci. Lett. 14, 692 (1995).
5. P. I. Rovira and R. W. Collins, J. Appl. Phys. 85, 2015 (1999).
6. N. Yamazoe, Sens. Actuators B 5, 7 (1991).
7. W. Dazhi, W. Shulin, C. Jun, Z. Suyuan, and L. Fangqing, Phys. Rev. B 49, 14282 (1994).
8. Y. S. He, J. C. Campbell, R. C. Murphy, M. F. Arendt, and J. S. Swinnea, J. Mater. Res. 8, 3131 (1993).
9. W. A. Badawy, N. H. Afify, and E. M. Elgiar, J. Electrochem. Soc. 137, 1592 (1990)
10. M. S. Moreno, A. Varela, and L. C. Otero-Diaz, Phys. Rev. B 56, 5186 (1997).
11. C. Alfonso, A. Charai, A. Armigliato, and D. Narducci, Appl. Phys. Lett. 68, 1207 (1996).
12. T. Nishino and Y. Hamakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 9, 1085 (1970).
13. R. Kondo, H. Okimura, and Y. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 10, 1547 (1971).
14. R. S. Katiyar, P. Dawson, M. Hargreave, and G. R. Wilkinson, J. Phys. C 4, 2421 (1971).
15. R. L. Anderson, Appl. Phys. Lett. 27, 691 (1975).
16. A. Tanaka, S. Onari, and T. Arai, Phys. Rev. B 47, 1237 (1993).
17. M. S. Moreno, A. Varela, and L. C. Otero-Diaz, Phys. Rev. B 56, 5186 (1997).
18. T. W. Kim, Y. H. Chang, Y. D. Zheng, A. A. Reeder, B. D. McCombe, R. F. C. Farrow, T. Temofonte, F. A. Shirland, and A. Noreika, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 980 (1987).
19. T. W. Kim, H. L. Park, J. Y. Lee, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 65, 2597 (1994).
20. B. Lu, C. Wang, and Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 70, 717 (1997).
21. M. W. J. Prins, K. O. Grosse-Holz, J. F. M. Cillessen, and L. F. Feiner, J. Appl. Phys. 83, 888 (1998).
22. W. Göpel and K. D. Schierbaum, Sens. Actuators B 26-27, 1 (1995).
23. M. W. J. Prins, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, and S. E. Zinnemers, Appl. Phys. Lett. 70, 458 (1997).
24. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York. 1981).
25. D. Fröhlich, R. Klenkies, and R. Helbig, Phys. Rev. Lett. 41, 1750 (1978).