Current-voltage characteristic and Schottky barrier height of the GaAlAsSb(p)/GaSb(n+) heterostructure

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 183, Issue 2, 2001, Pages 345-351

  Ait Kaci, H ^a   Boukredimi, D ^a   Mebarki, M ^a  

^a UNIVERSITY OF ORAN   (Algeria)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; CALCULATIONS; COMPOSITION; ELECTRIC PROPERTIES; LIQUID PHASE EPITAXY; MATHEMATICAL MODELS; OPTOELECTRONIC DEVICES; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTIC; RICHARDSON CONSTANT; SCHOTTKY BARRIER HEIGHT;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0035250428     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(200102)183:2<345::AID-PSSA345>3.0.CO;2-R     Document Type: Article

References (31)

1. R. C. CHIN and C. M. HILL, Appl. Phys. Lett. 40, 332 (1982).
2. M. MEBARKI, T. BELATOUI, A. JOULLIE, B. ORSAL, and R. ALABEDRA, J. Appl. Phys. 68, 1106 (1990).
3. A. VIRRO, J. FRIENDENTHAL, A. GERST, P. LOUK, A. NIILISK, and A. ROSENTAL, Semicond. Sci. Technol. 5, 847 (1990).
4. L. M. DOLGINOV, A. E. DRAKIN, L. V. DRUZHININA, P. G. ELESEEV, M. G. ILIDSNY, V. A. SKIRIPKIN, and B. N. SVERDLOV, IEEE, J. Quantum Electron. 17, 593 (1981).
5. J. L. LAZZARI, J. C. LECLERCQ, P. GRUMBERG, A. JOULLIE, B. LAMBERT, D. BARBUSSE, and R. FOURCADE, J. Cryst. Growth 123, 465 (1992).
6. I. A. ANDREEV, M. A. AFRAILOV, A. N. BARANOV, M. A. MIRSAGATOV, M. P. MIKHAILOVA, and Y. P. YAKOVLEV, Soviet Phys. - J. Tech. Phys. Lett. 14, 435 (1989).
7. H. AIT KACI, D. BOUKREDIMI, and M. MEBARKI, phys. stat. sol. (a) 163, 101 (1997).
8. H. MATHIEU, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques, Masson, Paris 1987 (chap. 6).
9. J. J. B. PRASAD, D. KRISHNA RAO, D. SRIDEVI, J. MAJHI, K. V. REDDY, and J. SOBHANADRI, Solid State Electron. 28, 1251 (1985).
10. A. Y. POLYAKOV, A. G. MILNES, S. J. EGLASH, M. YE, and A. E. BOCHKAREV, Solid State Electron. 36, 649 (1993).
11. A. Y. POLYAKOV, A. G. MILNES, A. V. GOVORKOV, L. V. DRUZHININA, I. V. TUNTSKAYA, and N. B. S.MIRNOV, Solid State Electron. 38, 525 (1995).
12. M. JAROS, Phys. Rev. B 37, 7112 (1998).
13. A. MUJICA and A. MUNOZ, Solid State Commun. 81, 961 (1992).
14. A. B. BOGOSLOVSKAYA, N. M. KOLSHANOVA, F. I. MANYAKHIN, A. A. POPOV, and G. A. SUKACH, Russian Phys. - Semicond. 27, 870 (1993).
15. B. BRAR and H. KROEMER, J. Appl. Phys. 83, 894 (1998).
16. A. C. SERRA, H. A. SANTOS, A. MARTY, J. P. BAIBLE, and G. REY, IEEE Trans. Electron. Devices 40, 353 (1993).
17. K. ITAYA, M. ISHIKAWA, and G. ATAKOSHI, Jpn. J. Appl. Phys. A 5, 1919 (1993).
18. A. E. RAKHSHANI, Y. MAKDISI, X. MATHEW, and N. R. MATHEWS, phys. stat. sol. (a) 168, 177 (1998).
19. J. C. RANUAREZ, F. J. GARCIA SANCHEZ, and A. ORTIZ-CONDE, Solid State Electron. 43, 2129 (1999).
20. M. P. HERNANDEZ, C. F. ALONSO, and J. L. PENA, phys. stat. sol. (b) 220, 789 (2000).
21. C. D. LIEN, F. C. T. SO, and M. A. NICOLET, IEEE Trans. Electron. Devices ED-31, 1502 (1984).
22. J. H. WERNER, Appl. Phys. A 47, 291 (1988).
23. B. ROTELLI, L. TARRICON, E. GOMBIA, R. MOSCA, and M. PEROTIN, J. Appl. Phys. 81, 1813 (1997).
24. A. Y. POLYAKOV, M. STAM, A. G. MILNES, and D. E. SCHLESINGER, Mater. Sci. Eng. B 12, 337 (1992).
25. J. K. LEE, Y. H. CHO, B. D. CHOE, K. S. KIM, H. I. JEON, H. LIM, and M. RAZEGHI, Appl. Phys. Lett. 71, 912 (1997).
26. M. NAKAO, S. YOSHIDA, and S. GONDA, Solid State Commun. 49, 663 (1984).
27. M. MEBARKI, J. Appl. Phys. 70, 5420 (1991).
28. U. CEBULLA, G. TRANKLE, U. ZIEM, A. FORSHEL, G. GRIFFITTIIS, H. KROEMER, and S. SUBBANNA, Phys. Rev. B 37, 6278 (1988).
29. G. J. GUALTIERI, R. G. NUZZO, R. J. MALIK, J. F. WALKER, L. C. FELDMAN, W. A. SUNDER, and G. P. SCHWARTZ, J. Vac. SCi. Technol. B 5, 1284 (1987).
30. J. MENENDEZ, A. PINCZUK, D. J. WERDER, J. P. VALLADARES, T. H. CHIU, and W. T. TSANG, Solid State Commun. 61, 703 (1987).
31. W. Z. SHEN, S. C. SHEN, W. G. TANG, Y. ZHAO, and Z. Li, Appl. Phys. Lett. 67, 3432 (1995).