Growth of nanocrystalline silicon carbide thin films by plasma enhanced chemical vapor deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 34, Issue SUPPL. 3, 1999, Pages

  Lee, S W ^a   Choi, Y S ^a   Moon, J Y ^a   Ahn, S S ^a   Kim, H Y ^a   Shin, D H ^a  

^a Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033440760     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (10)

1. T. Ma, J. Xu, K. Chen, J. Du, W. Li and X. Huang, Appl. Phys. Lett. 72, 13 (1998).
2. Y.-A. Chen, C.-F. Chiou, W.-C. Tsay, L.-H. Laih, J.-W. Hong and C.-Y. Chang, IEEE Trans. Electron Divices 44, 1360 (1997).
3. J.-W. Lee and K. S. Lim, Appl. Phys. Lett. 68, 1031 (1996).
4. W. K. Choi, F. L. Loo, F. C. Loh and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 80, 1611 (1996).
5. H.-K. Tsai, W.-L. Lin, W. J. Sah and S.-C. Lee, J. Appl. Phys. 64, 1910 (1988).
6. V. Mastelaro, A. M. Flank, M. C. A. Fantini, D. R. S. Bittencourt, M. N. P. Carreo and I. Pereyra, J. Appl. Phys. 79, 1324 (1996).
7. W. K. Choi, Y. M. Chan, C. H. Ling, Y. Lee, R. Gopalakrishinan and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 77, 827 (1995).
8. D. Kuhman, S. Grammatica and F. Jansen, Thin Solid Films 177, 253 (1989).
9. A. Desalvo, F. Giorgis, C. F. Pirri, E. Tresso, P. Rava, R. Galloni, R. Rizzoli and C. Summonte, J. Appl. Phys. 81, 7973 (1997).
10. M. L. de Oliveira, S. S. Camargo, Jr. and F. L. Freire, Jr., J. Appl, Phys. 71, 1531 (1992).