Deposition and 1.54 μm Er3+ luminescent properties of erbium-doped hydrogenated amorphous silicon thin films by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition of SiH4 with concurrent sputtering of erbium

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 6, 1999, Pages 3230-3234

  Shin, Jung H ^a   Kim, Mun Jun ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033419507     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582047     Document Type: Article

References (33)

1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, and A. Axmann, Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983).
2. See, for example, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 422 (1996).
3. G. Franzó, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Camera, Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1993).
4. B. Zheng, J. Michel, F. Y. G. Ren, L. C. Kimerling, D. C. Jacobson, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 64, 2842 (1994).
5. D. J. Eaglesham et al., Appl. Phys. Lett. 58, 2797 (1991).
6. A. Cavallini, B. Fraboni, S. Pizzini, S. Binetti, S. Sanguinetti, L. Lazzarini, and G. Salviati, J. Appl. Phys. 85, 1582 (1999).
7. J. Michel et al., J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991).
8. A. Polman, J. S. Custer, E. Snoeks, and G. N. van den Hoven, Appl. Phys. Lett. 62, 507 (1993).
9. P. N. Favennec, H. L'Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, and M. Ganneau, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 181 (1993),
10. J. T. Torvik, C. H. Qui, R. J. Feuerstein, J. I. Pankove, and F. Namavar, J. Appl. Phys. 81, 6343 (1997).
11. W. J. Choyke, R. P. Devaty, L. L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensi, and Ch. Hassler, Appl. Phys. Lett. 65, 1668 (1994).
12. G. D. Cody, B. Abeles, C. R. Wronski, B. Stephens, and B. Brooks, Sol. Cells 2, 227 (1990).
13. T. Oestereich, C. Swiatkowski, and I. Broser, Appl. Phys. Lett. 56, 446 (1990).
14. J. H. Shin, R. Serna, G. N. van den Hoven, A. Polman, W. G. J. H. M. van Sark, and A. M. Vredenber, Appl. Phys. Lett. 68, 46 (1996).
15. M. S. Bresler et al., Appl. Phys. Lett. 67, 3599 (1995).
16. A. R. Zanatta, L. A. O. Nunes, and Leandro R. Tessler, Appl. Phys. Lett. 70, 511 (1997).
17. O. B. Gusev, A. N. Kuznetsov, E. I. Terukov, M. S. Bresler, V. Kh. Kudoyarova, I. N. Yassievich, B. P. Zakharchenya, and W. Fuhs, Appl. Phys. Lett. 70, 240 (1997).
18. J. Hanna and I. Shimizu, Mater. Res. Bull. 21, 35 (1996).
19. U. Kroll, J. Meier, H. Keppner, A. Shah, S. D. Littlewood I. E. Kelly, and P. Giannoulès, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2742 (1995).
20. For a recent review, see Mater. Res. Soc. Proc. 507 (1999).
21. P. A. Stolk, A. J. M. Berntsen, F. W. Saris, and W. F. van der Weg, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 297, 127 (1993).
22. V. B. Voronkov, V. G. Golubev, A. V. Medvedev, A. B. Pevtsov, N. A. Feoktistov, N. I. Gorshkov, and D. N. Suglobov, Phys. Solid State 40, 1301 (1998).
23. E. I. Terukov, O. I. Kon'kov, V. Kh. Kudoyarova, O. B. Gusev, and G. Weiser, Semiconductors 32, 884 (1998).
24. P. S. Andry et al., J. Appl. Phys. 422, 41 (1996).
25. M. Morse, B. Zheng, J. Palm, X. Duan, and L. C. Kimerling, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 422, 41 (1996).
26. X. Y. Qian, M. H. Kiang, J. Huang, D. Carl, Nw. W. Cheung, M. A. Lieberman, I. G. Brown, K. M. Yu, and M. I. Current, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 55, 888 (1991).
27. Visit, for example, http://www.genplot.com/
28. D. Beeman, R. Tsu, and M. F. Thorpe, Phys. Rev. B 32, 874 (1985).
29. A. J. M. Berntsen, W. G. J. H. M. van Sark, and W. F. van der Weg, J. Appl. Phys. 78, 1964 (1995).
30. U. Kroll, J. Meier, H. Keppner, A. Shah, S. D. Littlewood, I. E. Kelly, and P. Giannoulès, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2742 (1995).
31. C. C. Tsai, J. C. Knights, R. A. Lujan, B. Wacker, B. L. Stafford, and M. J. Thompson, J. Non-Cryst. Solids 59&60, 731 (1983).
32. V. F. Masterov, F. S. Nasredinov, P. P. Seregin, V. Kh. Kudoyarova, A. N. Kuznetsov, and E. I. Terukov, Appl. Phys. Lett. 72, 728 (1998).
33. A. J. M. Berntsen, Ph.D. thesis, University of Utrecht, 1993.