Reactive ion etching for mesa structuring in HgCdTe

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 5, 1999, Pages 2503-2509

  Smith, E P G ^a   Musca, C A ^a   Redfern, D A ^a   Dell, J M ^a   Faraone, L ^a  

^a UNIVERSITY OF WESTERN AUSTRALIA   (Australia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033414539     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581988     Document Type: Article

References (36)

1. R. Balcerak, J. F. Gibson, W. A. Gutierrez, and J. H. Pollard, Opt. Eng. (Bellingham) 26, 191 (1987).
2. G. Bahir, in Physics of Semiconductor Devices, edited by V. Kumar and S. K. Agarwal (Narosa, New Delhi, India, 1998), pp. 697-704.
3. P. Knowles and I. M. Baker, IEE Proc.: Optoelectron. 144, 327 (1997).
4. R. D. Rajavel et al., J. Cryst. Growth 175/176, 653 (1997).
5. F. Bertrand, J. L. Tissot, and G. Destefanis, in Ref. 2, pp. 713; 720.
6. M. B. Reine et al., J. Electron. Mater. 24, 669 (1995).
7. R. C. Keller, M. Seelmann-Eggebert, and H. J. Richter, J. Electron. Mater. 25, 1270 (1998).
8. S. J. Pearton, Proc. SPIE 2999, 118 (1997).
9. J. E. Spencer, H. H. Dinan, P. R. Boyd, H. Wilson, and S. E. Buttrill, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 676 (1989).
10. R. C. Keller, M. Seelman-Eggebert, and H. J. Richter, J. Electron. Mater. 24, 1115 (1995).
11. G. P. Carey, D. J. Friedman, A. K. Wahi, C. K. Shih, and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2736 (1988).
12. E. Belas, R. Grill, J. Franc, A. Toth, P. Hoschl, H. Sitter, and P. Moravec, J. Cryst. Growth 159, 1117 (1996).
13. V. Mittal, K. P. Singh, R. Singh, and V. Gopal, in Ref. 2, pp. 799; 805.
14. J. L. Elkind and G. J. Orloff, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1106 (1992).
15. C. R. Eddy, E. A. Dobisz, C. A. Hoffman, and J. R. Meyer, Appl. Phys. Lett. 19, 2362 (1993).
16. A. Semu, L. Montelius, P. Leech, D. Jamieson, and P. Silverberg, Appl. Phys. Lett. 14, 1752 (1991).
17. P. Brogowski, H. Mucha, and J. Piotrowski, Phys. Status Solidi A 114, K37 (1989).
18. E. Belas, J. Franc, A. Toth, P. Moravec, R. Grill, H. Sitter, and P. Hosch, Semicond. Sci. Technol. 11, 1116 (1996).
19. J. E. Spencer, T. R. Schimert, J. H. Dinan, D. Endres, and T. R. Hayes, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1690 (1990).
20. C. R. Eddy, E. A. Dobisz, J. R. Meyer, and C. A. Hoffman, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1763 (1993).
21. M. Neswal, K. H. Gresslehner, K. Lischka, and K. Lubke, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 551 (1993).
22. L. Faraone, in Ref. 2, pp. 721; 728.
23. J. Piotrowski, Z. Nowak, J. Antoszewski, C. A. Musca, J. M. Dell, and L. Faraone, J. Electron. Mater. 27, 740 (1998).
24. L. O. Bubulac, W. E. Tennant, D. S. Lo, D. D. Edwall, J. C. Robinson, J. S. Chen, and G. Bostrup, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 3166 (1987).
25. J. F. Siliquini, J. M. Dell, C. A. Musca, E. P. G. Smith, L. Faraone, and J. Piotrowski, Appl. Phys. Lett. 72, 52 (1998).
26. B. L. Williams, H. G. Robinson, and C. R. Helms, J. Electron. Mater. 27, 583 (1998).
27. U. Solzbach and H. J. Richter, Surf. Sci. 97, 191 (1980).
28. C. A. Musca, J. F. Siliquini, E. P. G. Smith, J. M. Dell, and L. Faraone, J. Electron. Mater. 26, 661 (1998).
29. C. R. Eddy, C. A. Hoffman, J. R. Meyer, and E. A. Dobisz, J. Electron. Mater. 22, 1055 (1993).
30. J. Bajaj, W. E. Tennant, R. Zucca, and S. J. Irvine, Semicond. Sci. Technol. 8, 872 (1993).
31. J. T. Wallmark, Proc. IRE 45, 474 (1957).
32. K. Fynn, J. Bajaj, and L. Faraone, IEEE Trans. Electron Devices 24, 1775 (1995).
33. J. F. Siliquini, J. M. Dell, C. A. Musca, L. Faraone, and J. Piotrowski, J. Cryst. Growth 184/185, 1219 (1998).
34. C. L. Jones, M. J. T. Quelch, P. Capper, and J. J. Gosney, J. Appl. Phys. 53, 9080 (1982).
35. T. Sasaki, N. Oda, M. Kawano, S. Sone, T. Kanno, and M. Saga, J. Cryst. Growth 117, 222 (1992).
36. P. Capper, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1667 (1991).