Carrier screening and polarization fields in nitride-based heterostructure devices

Physica B: Condensed Matter

Volumn 272, Issue 1-4, 1999, Pages 397-401

  Sala, Fabio Della ^a   Carlo, Aldo Di ^a   Lugli, Paolo ^a   Cingolani, Roberto ^b   Coli', G ^b   Lomascolo, M ^b   Botchkarev, A ^c   Tang, H ^c   Morkoc, H ^c  

^a UNIVERSITY OF ROME TOR VERGATA   (Italy)

^b INFM   (Italy)

^c VIRGINIA COMMONWEALTH UNIVERSITY   (United States)

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CHARGE CARRIERS; LIGHT POLARIZATION; LIGHT SCATTERING; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

TIGHT BINDING (TB);

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0033337881     PISSN: 09214526     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-4526(99)00310-5     Document Type: Article

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