Structural and electrical characterization of SrBi2Nb2O9 thin films deposited on YBa2Cu3O7-δ and Nb doped SrTiO3

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 2, 1999, Pages 960-964

  Schwan, Ch ^a   Haibach, P ^a   Jakob, G ^a   Martinez J C ^a   Adrian, H ^a  

^a JOHANNES GUTENBERG UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CRYSTAL MICROSTRUCTURE; DIELECTRIC FILMS; ELECTRODES; ELECTROMAGNETIC WAVE POLARIZATION; EPITAXIAL GROWTH; FERROELECTRIC MATERIALS; GOLD; HETEROJUNCTIONS; OXIDE SUPERCONDUCTORS; STRONTIUM COMPOUNDS; THIN FILMS;

CURIE-VON SCHWEIDLER POWER LAW; DEPOLARIZATION CURRENTS; FERROELECTRIC THIN FILMS;

SUPERCONDUCTING FILMS;

EID: 0032621586     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370832     Document Type: Article

References (40)

1. C. Björmander, A. M. Grishin, B. M. Moon, J. Lee, and K. V. Rao, Appl. Phys. Lett. 64, 3646 (1994).
2. J. P. Wang, Y. C. Ling, I. N. Lin, W. J. Lin, and T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 79, 7621 (1996).
3. L. Ceresara, A. Iembo, F. Fuso, M. Labardi, M. Allegrini, E. Arimondo, A. Diodati, B. E. Watts, F. Leccabue, and G. Bocelli, Semicond. Sci. Technol. 9, 671 (1996).
4. A. M. Grishin, M. Yamazato, Y. Yamagata, and K. Ebihara, Appl. Phys. Lett. 72, 620 (1997).
5. R. Ramesh, A. Inam, W. K. Chan, F. Tillerot, B. Wilkens, C. C. Chang, T. Sands, J. M. Tarascon, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 59, 3542 (1991).
6. R. Ramesh, T. Sands, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 63, 731 (1993).
7. R. Ramesh et al., Appl. Phys. Lett. 61, 1537 (1992).
8. R. Ramesh et al., Appl. Phys. Lett. 59, 1782 (1991).
9. N. J. Wu, A. Ignatiev, A.-W. Mesarwi, H. Lin, K. Xie, and H.-D. Shih, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 32, 5019 (1992).
10. H. Lin, N. J. Wu, K. Xie, X. Y. Li, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 65, 953 (1994).
11. H. Lin, N. J. Wu, F. Geiger, K. Xie, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 66, 1172 (1995).
12. A. R. Zomorrodian, H. Lin, N. J. Wu, T. Q. Huang, D. Liu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 69, 1789 (1996).
13. H. Lin, N. J. Wu, F. Geiger, K. Xie, and A. Ignatiev, J. Appl. Phys. 80, 7130 (1996).
14. J. Lee, A. Safari, and R. L. Pfeffer, Appl. Phys. Lett. 61, 1643 (1992).
15. J. Lee, L. Johnson, A. Safari, R. Ramesh, T. Sands, H Gilchrist, and V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 63, 27 (1993).
16. J. Lee, S. Esayan, A. Safari, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 65, 254 (1994).
17. C.-S. Hsi, G. H. Haertling, and E. Furman, Appl. Phys. Lett. 64, 1050 (1994).
18. C. N. Soble II, S. H. Rou, D. J. Lichtenwalner, T. M. Graettinger, R. R. Woolcott, Jr., O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 61, 1844 (1992).
19. K. Amanuma, T. Hase, and Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 66, 221 (1995).
20. H. N. Al-Shareef, D. Dimos, T. J. Boyle, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, Appl. Phys. Lett. 68, 690 (1996).
21. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
22. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C.-H. Peng, and M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 68, 616 (1996).
23. N.-J. Seong, S.-G. Yoon, and S.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 71, 81 (1997).
24. E. Tokumitsu, G. Fujii, and H. Ishiwara, in Ferroelectric Thin Films VI, edited by R. E. Treece, R. E. Jones, C. M. Foster, S. B. Desu, and I. K. Yoo, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 493 (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1998), p. 459.
25. S. B. Desu, D. P. Vijay, X. Zhang, and B. He, Appl. Phys. Lett. 69, 1719 (1996).
26. M. Schmitt, S. Freisem, T. Becherer, A. Hadish, and H. Adrian, J. Appl. Phys. 76, 3220 (1994).
27. J. H. Cho, S. H. Bang, J. Y. Son, and Q. X. Jia, Appl. Phys. Lett. 72, 665 (1998).
28. S. B. Desu, H. S. Cho, and P. C. Joshi, Appl. Phys. Lett. 70, 1393 (1997).
29. J.-P. Han and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 72, 1185 (1998).
30. K. Watanabe, M. Tanaka, E. Sumitomo, K. Katori, H. Yagi, and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. 73, 126 (1998).
31. L. Fu, K. Liu, B. Zhang, J. Chu, H. Wang, and M. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 1784 (1998).
32. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997).
33. H.-M. Christen, J. Mannhart, E. J. Williams, and Ch. Gerber, Phys. Rev. B 49, 12095 (1994).
34. A. Yoshida, H. Tamura, K. Gotoh, H. Takauchi, and S. Hasuo, J. Appl. Phys. 70, 4976 (1991).
35. A. Yoshida, H. Tamura, K. Gotoh, N. Fujimaki, S. Hasuo, D. K. Chin, and T. Van Duzer, Physica B 169, 459 (1991).
36. S. Suzuki, T. Yamamoto, H. Suzuki, K. Kawaguchi, K. Takahashi, and Y. Yoshisato, J. Appl. Phys. 81, 6830 (1997).
37. H. Hasegawa and T. Nishino, J. Appl. Phys. 69, 1501 (1991).
38. S. Sadashivan, S. Aggarwal, T. K. Song, R. Ramesh, J. T. Evans, Jr., B. A. Tuttle, W. L. Warren, and D. Dimos, J. Appl. Phys. 83, 2165 (1998).
39. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Clarendon, Oxford, 1977), p. 71.
40. N.-J. Seong, C.-H. Yang, W.-C. Shin, and S.-G. Yoon, Appl. Phys. Lett. 72, 1374 (1998).