Pressure and temperature effects on optical transitions in cubic GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 2, 1999, Pages 929-934

  Liu, Z X ^a,b   Goni, A R ^a,b   Syassen, K ^a,b   Siegle, H ^a,b   Thomsen, C ^a,b   Schottker B ^b   As, D J ^a,b   Schikora, D ^a,b  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; ELECTRON TRANSITIONS; FILM GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL FILMS; PHONONS; PHOTOLUMINESCENCE; PRESSURE EFFECTS; SEMICONDUCTING FILMS; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; SUBSTRATES; THERMAL EFFECTS;

BOUND-EXCITON TRANSITIONS; DONOR-ACCEPTOR-PAIR (DAP) EMISSIONS; FREE-TO-BOUND TRANSITIONS;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032620504     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370826     Document Type: Article

References (40)

1. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 32, L8 (1993).
2. M. A. Khan, D. J. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 65, 64 (1994).
3. Wide Bandgap Semiconductors, edited by T. D. Moustakas, J. I. Pankove, and Y. Hamakawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1992).
4. A. Dissanayake, J. Y. Lin, H. X. Jiang, Z. J. Yu, and J. H. Edgar, Appl. Phys. Lett. 65, 2317 (1994).
5. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
6. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
7. B. K. Meyer, D. Volm, A. Graber, H. C. Alt, T. Detchprohm, A. Amano, and I. Akasaki, Solid State Commun. 95, 597 (1995).
8. P. Perlin, C. Jauberthie-Carillon, J. P. Itie, A. San Miguel, I. Grzegory, and A. Polian, Phys. Rev, B 45, 83 (1992).
9. E. G. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskil, J. A. Freitas, Jr., M. A. Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326 (1995); D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, ibid. 52, 16702 (1995).
10. E. G. Glaser, T. A. Kennedy, K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskil, J. A. Freitas, Jr., M. A. Khan, D. T. Olson, J. N. Kuznia, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13326 (1995); D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B. K. Meyer, A. Hoffmann, L. Eckey, R. Heitz, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, ibid. 52, 16702 (1995).
11. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
12. Z. X. Liu, S. Pau, K. Syassen, J. Kuhl, W. Kim, H. Morkoç, M. A. Khan, and C. J. Sun, Phys. Rev. B 58, 6696 (1998).
13. Z. X. Liu, K. P. Korona, K. Syassen, J. Kuhl, K. Pakula, J. M. Baranowski, I. Grzegory, and S. Porowsky, Solid State Commun. 108, 433 (1998).
14. M. J. Paisley, Z. Stitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
15. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, A. Salvador, H. Chen, D. J. Simth, W. J. Choyke, and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
16. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992).
17. D. J. As, F. Schmilgus, C. Wang, B. Schöttker, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 70, 1311 (1997).
18. J. Wu, H. Yaguchi, K. Onabe, R. Ito, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 71, 2067 (1997).
19. G. Ramírez-Flores, H. Navarro-Contreras, A. Lastras-Martínez, R. C. Powell, and J. E. Greene, Phys. Rev. B 50, 8433 (1994).
20. J. Menninger, U. Jahn, O. Brandt, H. Yang, and K. Ploog, Phys. Rev. B 53, 1881 (1996).
21. H. Siegle, L. Eckey, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. K. Meyer, D. Schikora, M. Hankeln, and K. Lischka, Solid State Commun. 96, 943 (1995).
22. A. R. Goñi and K. Syassen, in High Pressure in Semiconductor Physics, Semiconductors and Semimetals Series, edited by T. Suski and W. Paul (Academic, San Diego, 1998).
23. P. Perlin, I. Gorczyca, N. E. Christensen, I. Grzegory, H. Teisseyre, and T. Suski, Phys. Rev. B 45, 13307 (1992).
24. S. J. Hwang, W. Shan, R. J. Hauenstein, J. J. Song, M.-E. Lin, S. Strite, B. N. Sverdlov, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 2928 (1994).
25. P. Perlin, T. Suski, H. Teisseyre, M. Leszczynski, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, P. Boguslawski, J. Bernholc, J. C. Chervin, A. Polian, and T. D. Moustakas, Phys. Rev. Lett. 75, 296 (1995).
26. W. Shan, T. J. Schmidt, R. J. Hauenstein, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 3492 (1995).
27. S. Kim, I. P. Herman, J. A. Tuchman, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 67, 380 (1995).
28. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
29. D. Schikora, M. Hankeln, D. J. As, K. Lischka, T. Litz, A. Waag, T. Buhrow, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 54, R8381 (1996).
30. G. J. Piermarini, S. Block, J. D. Barnett, and R. A. Forman, J. Appl. Phys. 46, 2774 (1975); H. K. Mao, J. Xu, and P. M. Bell, J. Geophys. Res. 91, 4673 (1986).
31. G. J. Piermarini, S. Block, J. D. Barnett, and R. A. Forman, J. Appl. Phys. 46, 2774 (1975); H. K. Mao, J. Xu, and P. M. Bell, J. Geophys. Res. 91, 4673 (1986).
32. S. Buchsbaum, R. L. Mills, and D. Schiferl, J. Phys. Chem. 88, 2522 (1984).
33. The increase of the lowest direct band gap energy in tetrahedral semiconductors by applying high hydrostatic pressures is attributed mainly to the upward shift of the bottom of the conduction band relative to the top valence-band edge. Shallow acceptor states are expected to be fairly insensitive to pressure, for being closely related to the valence band.
34. H. Siegle, A. R. Goñi, C. Thomsen, C. Ulrich, K. Syassen, B. Schöttker, D. J. As, and D. Schikora, in Gallium Nitride and Related Materials II, edited by C. R. Abernathy, H. Amano, and J. C. Zolper (Materials Research Society, Pittsburgh, 1997) p. 225.
35. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
36. E. Edjer, Phys. Status Solidi A 6, K29 (1971).
37. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremster, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 16369 (1996).
38. T. Kamiya and E. Wagner, J. Appl. Phys. 48, 1928 (1977).
39. K. Naniwae, S. Itoh, H. Amano, K. Itoh, K. Hiramastu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 99, 381 (1990).
40. E. Zacks and A. Halperin, Phys. Rev. B 6, 3072 (1972).