Optical gain and stimulated emission of cleaved cubic gallium nitrite

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 14, 1999, Pages 1966-1968

  Holst, J ^a   Hoffmann, A ^a   Broser, I ^a   Schottker B ^b   As, D J ^b   Schikora, D ^b   Lischka, K ^b  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b UNIVERSITY OF PADERBORN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EMISSION SPECTROSCOPY; FILM GROWTH; LIGHT POLARIZATION; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA APPLICATIONS; REFLECTION HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR GROWTH; THIN FILMS;

EDGE EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032615225     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123715     Document Type: Article

References (20)

1. M. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
2. S. Strite, J. Ruan, Z. Li, N. Manning, A. Salvador, H. Chen, D. J. Smith, W. J. Choyke, and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1924 (1991).
3. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, J. Appl. Phys. 71, 4933 (1992).
4. R. C. Powell, N. E. Lee, Y. W. Kim, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 73, 189 (1993).
5. H. Liu, A. C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993).
6. T. S. Cheng, L. C. Jenkins, S. E. Hooper, C. T. Foxon, J. W. Orton, and D. E. Lacklinson, Appl. Phys. Lett. 66, 1509 (1995).
7. G. E. Bulman et al., Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
8. R. Klann, O. Brandt, H. Yang, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 1076 (1997).
9. J. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 72, 1439 (1998).
10. J. Wu, H. Yaguchi, K. Onabe, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 73, 1931 (1998).
11. A. Nakadaira and H. Kanaka, Appl. Phys. Lett. 71, 812 (1997).
12. D. Schikora, M. Hankeln, D. J. As, K. Lischka, T. Litz, A. Waag, T. Buhrow, and F. Henneberger, Phys. Rev. B 54, R8381 (1996).
13. D. J. As, F. Schmilgus, C. Wand, B. Schöttker, D. Schikora, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 70, 1311 (1997).
14. A. Nakadaira and H. Kanaka, Appl. Phys. Lett. 70, 2720 (1997).
15. K. L. Shaklee, R. E. Nahory, and R. F. Leheny, J. Lumin. 7, 284 (1973).
16. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971).
17. I. K. Shmagin, J. F. Muth, R. M. Kolbas, S. Krishnankutty, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. Den Baars, Appl. Phys. Lett. 81, 2021 (1997).
18. H. H. Yang, T. J. Schmidt, W. Shan, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 6951 (1995).
19. H. Saito and E. Göbel, Phys. Rev. B 31, 2360 (1985).
20. J-.Chr. Holst, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 25 (1997).