Effect of postoxidation annealing on Si/SiO2 interface roughness

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 146, Issue 8, 1999, Pages 3032-3038

  Chen, Xidong ^a   Gibson, J M ^a  

^a ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; OXIDATION; ROUGHNESS MEASUREMENT; SILICA; SILICON; SURFACE ROUGHNESS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

POSTOXIDATION ANNEALING; ROUGHENING; SMOOTHENING;

INTERFACES (MATERIALS);

EID: 0032592398     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1392047     Document Type: Article

References (35)

1. J. R. Schrieffer, Phys. Rev., 97, 641 (1955).
2. T. Ohmi, M. Miyashita, and T. Imaoka, in Proceedings of the Microcontamination Meeting, San Jose, CA (1991).
3. S. W. Crowder, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Appl. Phys. Lett., 65, 1698 (1994).
4. J. V. Seiple and J. P. Pelz, Phys. Rev. Lett., 73, 999 (1994).
5. J. M. Gibson and M. Y. Lanzerotti, Nature, 340, 128 (1989).
6. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol., A, 2, 574 (1984).
7. S. M. Goodnick, D. K. Ferry, C. W. Wilmsen, Z. Lilliental, D. Fathy, and O. L. Krivanek, Phys. Rev. B, 32, 8171 (1985).
8. J. I. Dadap, B. Doris, Q. Deng, M. C. Downer, J. K. Lowell, and A. C. Diebold, Appl. Phys. Lett., 64, 2139 (1994).
9. R. Ossikovski, H. Shirai, and B. Drevillon, Appl. Phys. Lett., 64, 1815 (1994).
10. I. K. Robinson, Phys. Rev. B, 33, 3830 (1986).
11. M.-T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett., 62, 3144 (1993).
12. M. Lohmeier, S. De Vries, J. S. Custer, E. Vlieg, M. S. Finney, F. Priolo, and A. Battaglia, Appl. Phys. Lett., 64, 1803 (1994).
13. J. M. Gibson, M. Y. Lanzerotti, and V. Elser, Appl. Phys. Lett., 55, 1394 (1989).
14. F. M. Ross, J. M. Gison, and R. D. Twesten, Surf. Sci., 310, 243 (1994).
15. X. Chen and J. M. Gibson, Phys. Rev. B, 54, 2846 (1996); X. Chen and J. M. Gibson, in Microscopy of Oxidation 1996 Proceedings. Cambridge, U.K., Sept 1996.
16. X. Chen and J. M. Gibson, Phys. Rev. B, 54, 2846 (1996); X. Chen and J. M. Gibson, in Microscopy of Oxidation 1996 Proceedings. Cambridge, U.K., Sept 1996.
17. X. Chen and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett., 70, 1462 (1997).
18. X. Chen, Ph.D. Thesis, University of Illinois at Urbana-Champaign (1997).
19. J. V. Seiple and J. P. Pelz, J. Vac. Sci. Technol., A. 13, 772 (1995).
20. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gusfafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B, 52, 1759 (1995).
21. P. Collot, G. Gautherin, B. Agius, S. Rigo, and F. Rochet, Philos. Mag. B. 52, 1051 (1985).
22. C. Fliori, Phys. Rev. Lett., 52, 2077 (1984).
23. H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Surf. Sci., 351, 111 (1996).
24. R. J. Jaccodine, J. Electrochem. Soc., 110, 524 (1963).
25. N. C. Bartelt, J. L. Goldberg, T. L. Einstein, E. D. Williams, J. C. Heyraud, and J. J. Métois, Phys. Rev. B, 48, 15453 (1993).
26. N. C. Bartelt and R. M. Tromp, Phys. Rev. B, 54, 11731 (1996).
27. F. Family, Physica A, 168, 561 (1990).
28. M. L. Green, D. Brasen, K. W. Evans-Lutterodt, L. C. Feldman, K. Krisch, W. Lennard, H. T. Tang, L. Marchanda, and M. T. Tang, Appl. Phys. Lett., 65, 848 (1994).
29. M. L. Green, D. Brasen, L. C. Feldman, W. Lennard, and H. T. Tang, Appl. Phys. Lett., 67, 1600 (1995).
30. M. T. Tang, K. W. Evans-Lutterrodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett., 62, 3144 (1993).
31. Q. Liu, J. F. Wall, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol., A, 12, 2625 (1994).
32. C. R. Helms and E. H. Poindexter, Rep. Prog. Phys., 57, 791 (1994).
33. A. Ourmazd, J. A. Rentschler, and J. Beck, Appl. Phys. Lett., 53, 743 (1988).
34. S. L. Wu, C. L. Lee, T. F. Lei, and M. S. Liang, J. Appl. Phys., 72, 1378 (1992).
35. J. M. Gibson, M. Y. Lanzerotti, and V. Elser, Appl. Phys. Lett., 55, 1394 (1989).