Doping of amorphous and microcrystalline silicon films deposited by hot-wire chemical vapor deposition using phosphine and trimethylboron

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 15, Issue 6, 1997, Pages 2968-2982

  Brogueira, P ^a   Chu, V ^b   Ferro, A C ^a   Conde, J P ^a  

^a INSTITUTO SUPERIOR TÉCNICO   (Portugal)

^b INESC   (Portugal)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0031501714     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580892     Document Type: Article

References (49)

1. R. C. Chittick, J. H. Alexander, and H. F. Sterling, J. Electrochem. Soc. 116, 77 (1969).
2. W. E. Spear and P. G. LeComber, Solid State Commun. 17, 1193 (1975).
3. R. A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press, Cambridge, 1991).
4. A. Matsuda, J. Non-Cryst. Solids 59&60, 767 (1983).
5. M. Konuma, H. Curtins, F. A. Sarott, and S. Vepřek, Philos. Mag. B 55, 377 (1987).
6. S. Komuro, Y. Aoyagi, Y. Segawa, S. Namba, A. Masuyamam, A. Matsuda, and K. Tanaka, J. Appl. Phys. 56, 1658 (1984).
7. M. Yoshimi, W. Ma, T. Horiuchi, C. C. Lira, S. C. De, K. Hattori, H. Okamoto, and Y. Hamakawa, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 845 (1992).
8. R. A. Street, MRS Bull. 17, 70 (1992).
9. Y. He, C. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu, and G. Y. Hu, J. Appl. Phys. 75, 797 (1994).
10. J. Hautala, Z. Saleh, J. F. M. Westendorp, H. Meiling, S. Sherman, and S. Wagner, Mater. Res. Soc. Symp. 420, 83 (1996).
11. H. Wiesmann, A. K. Ghosh, T. McMahon, and M. Strongin, J. Appl. Phys. 50, 3752 (1979); US Patent Nos. 4,237,150 (1980) and 4,634,605 (1987).
12. H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L949 (1986).
13. H. Matsumura, J. Appl. Phys. 65, 4396 (1989).
14. J. Doyle, R. Robertson, G. H. Lin, M. Z. He, and A. Gallagher, J. Appl. Phys. 64, 3215 (1988).
15. R. O. Dusane, S. R. Dusane, V. G. Bhide, and S. T. Kshirsagas, Appl. Phys. Lett. 63, 2201 (1993).
16. H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1522 (1991).
17. J. Cifre, J. Bertomeu, J. Puigdollers, M. C. Polo, J. Andreu, and A. Lloret, Appl. Phys. A: Solids Surf. 59, 645 (1994).
18. A. R. Middya, J. Guillet, J. Perrin, and J. E. Bouree, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 420, 289 (1996).
19. A. H. Mahan, J. Carapella, B. P. Nelson, R. S. Crandall, and I. Balberg, J. Appl. Phys. 69, 6728 (1991).
20. R. E. I. Schropp, K. F. Feenstra, C. H. M. Van Der Werf, J. Holleman, and H. Meiling, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 420, 109 (1996).
21. J. Puigdollers, J. Cifre, M. C. Polo, J. M. Asensi, J. Bertomeu, and J. Andreu, E-MRS Spring Meeting, Strasbourg, 1994.
22. P. Brogueira, J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, J. Appl. Phys. 78, 3776 (1995).
23. P. Roca i Cabarrocas, S. Kumar, and B. Drevillon, J. Appl. Phys. 66, 3286 (1989).
24. H. Tarui, T. Matsuyama, S. Okamoto, H. Dohjoh, Y. Hishikawa, S. Tsuda, S. Nakano, M. Ohnishi, and Y. Kuwano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 28, 2436 (1989).
25. P. Brogueira, J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, J. Appl. Phys. 79, 8748 (1996).
26. A. Goodman, Appl. Opt. 17, 2779 (1978).
27. J. Tauc, R. Grigorivici, and A. Vanu, Phys. Status Solidi 15, 627 (1996).
28. W. B. Jackson, N. M. Amer, A. C. Boccara, and D. Fournier, Appl. Opt. 20, 1333 (1981).
29. N. Wyrsch, F. Finger, T. J. McMahon, and M. Vanacek, J. Non-Cryst. Solids 137&138, 347 (1991).
30. M. Vanacek, J. Kocka, J. Strichlik, Z. Kosicek, O. Stika, and A. Triska, Sol. Energy Mater. 8, 411 (1983).
31. T. Watanabe, K. Azuma, M. Nakatani, and T. Shimada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L1419 (1990).
32. J. S. Lannin, Semiconductors and Semimetals, Part B (Academic, New York, 1984), Vol. 21.
33. T. Kaneko, M. Wakagi, K. Onisawa, and T. Minemura, Appl. Phys. Lett. 64, 1865 (1994).
34. S. Vepřek, F. A. Sarott, and Z. Iqbal, Phys. Rev. B 36, 3344 (1987).
35. E. Findeisen, R. Feidenhans'l, M. E. Vigild, K. N. Clausen, J. B. Hansen, M. D. Bentzon, and J. P. Goff, J. Appl. Phys. 76, 4636 (1994).
36. F. S. Borges, Elementos de Cristalografia, (Edições Gulbenkian, Lisboa, 1982), p. 293.
37. C. J. Fang, K. J. Gruntz, L. Ley, M. Cardona, F. J. Demond, G. Müller, and S. Kalbitzer, J. Non-Cryst. Solids 35&36, 255 (1980).
38. E. C. Molenbroek,m A. H. Mahan, E. J. Johnson, and A. C. Gallagher, J. Appl. Phys. 79, 7278 (1996).
39. M. Heintze, R. Zedlitz, H. N. Wanka, and M. B. Schubert, J. Appl. Phys. 79, 2699 (1996).
40. D. L. Smith, Thin-Film Deposition, Principles and Practice (McGraw-Hill, New York, 1995), pp. 593-594.
41. W. Beyer and H. Overhof, Semiconductors and Semimetals, Part C (Academic, New York, 1984), Vol. 21.
42. C. Godet, N. Layadi, and P. Roca i Cabarrocas, Appl. Phys. Lett. 66, 3146 (1995).
43. I. Solomon and B. Drévillon, J. Non-Cryst. Solids 164-166, 989 (1993).
44. P. Gonon, A. Deneuville, F. Fontaine, E. Gheeraert, A. Campargue, M. Chenevier, and S. Rodolphe, J. Appl. Phys. 78, 7404 (1995).
45. W. E. Spear and P. G. LeComber, Philos. Mag. 33, 935 (1976).
46. R. A. Street, D. K. Biegelsen, and J. C. Knights, Phys. Rev. B 24, 969 (1981).
47. D. Leidich, E. Linhart, E. Niemann, H. W. Grueniger, R. Fischer, and R. R. Zeyfang, J. Non-Cryst. Solids 59&60, 613 (1983).
48. K. Winer and R. A. Street, Phys. Rev. Lett. 63, 880 (1989).
49. J. P. Conde, M. Silva, V. Chu, H. Gleskova, K. Vasanth, S. Wagner, D. S. Shen, P. Popovic, S. Grebner, and R. Schwarz, Philos. Mag. B 74, 331 (1996).