Contactless electroreflectance study of a vertically coupled quantum dot-based InAs/GaAs laser structure

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 25, 1997, Pages 3329-3331

  Aigouy, Lionel ^a   Holden, Todd ^a   Pollak, Fred H ^a   Ledentsov, N N ^b,c   Ustinov, W M ^b   Kop'ev, P S ^b   Bimberg, D ^c  

^a CITY UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^c TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; CALCULATIONS; ELECTRON TRANSITIONS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; WETTING;

CONTACTLESS ELECTROREFLECTANCE; VERTICALLY COUPLED QUANTUM DOT; WETTING LAYER;

QUANTUM WELL LASERS;

EID: 0031165111     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119160     Document Type: Article

References (33)

1. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Hietz, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Kaitsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, A. O. Kosogov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Solid-State Electron. 40, 785 (1996); D. Bimberg, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaeder, O. G. Schmidt, M. H. Mao, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, U. Gösele, and J. Hedenreich, J. Appl. Phys. 35, 1311 (1996).
2. N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Hietz, J. Bohrer, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Kaitsev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, A. O. Kosogov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Solid-State Electron. 40, 785 (1996); D. Bimberg, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaeder, O. G. Schmidt, M. H. Mao, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, S. S. Ruvimov, U. Gösele, and J. Hedenreich, J. Appl. Phys. 35, 1311 (1996).
3. N. Kirstaedter, O. G. Schmidt, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 69, 1226 (1996).
4. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirsteadter, J. Böhner, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996); N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. V. Zaitsev, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, A. O. Kosogov, U. Gösele, and S. S. Ruvimov, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 133 (1996).
5. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirsteadter, J. Böhner, O. Schmidt, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Zh. I. Alferov, A. I. Borovkov, A. O. Kosogov, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gösele, and J. Heydenreich, Phys. Rev. B 54, 8743 (1996); N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, S. V. Zaitsev, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, A. O. Kosogov, U. Gösele, and S. S. Ruvimov, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 133 (1996).
6. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982); M. Asada, M. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1915 (1986).
7. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982); M. Asada, M. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. QE-22, 1915 (1986).
8. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
9. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
10. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
11. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
12. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
13. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985); J. Y. Marzin, J. M. Gérard, A. Izraël, D. Barrier, and G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994); D. Leonard, S. Fafard, K. Pond, Y. H. Zhang, J. L. Merz, and P. M. Petroff, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2516 (1994); G. S. Solomon, J. A. Trezza, A. F. Marshall, and J. S. Harris, Jr., Phys. Rev. Lett. 76, 952 (1996); R. Rinaldi, P. V. Giugno, R. Cingolani, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. Lett. 77, 342 (1996); M. Grundmann, N. N. Ledentsov, O. Stier, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 979 (1996).
14. R. Heitz, M. Grundmann, N. N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996).
15. M. Grundmann, J. Christen, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gösele, J. Heydenreich, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1996).
16. K. H. Schmidt, G. Medeiros-Ribeiro, M. Oestreich, P. M. Petroff, and G. H. Döhler, Phys. Rev. B 54, 11346 (1996).
17. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, M. V. Maximov, and V. M. Ustinov, Semiconductors 31 (1997) (in press).
18. S. Raymond, S. Fafard, P. J. Poole, A. Wojs, P. Hawrylak, S. Charbonneau, D. Leonard, R. Leon, P. M. Petroff, and J. L. Merz, Phys. Rev. B 54, 11548 (1996); U. Bockelmann, W. Heller, A. Filoramo, and Ph. Roussignol, ibid. 55, 4456 (1997).
19. S. Raymond, S. Fafard, P. J. Poole, A. Wojs, P. Hawrylak, S. Charbonneau, D. Leonard, R. Leon, P. M. Petroff, and J. L. Merz, Phys. Rev. B 54, 11548 (1996); U. Bockelmann, W. Heller, A. Filoramo, and Ph. Roussignol, ibid. 55, 4456 (1997).
20. H. Qiang, F. H. Pollak, Y. S. Tang, P. D. Wang, and C. M. Sotomayor Torres, Appl. Phys. Lett. 64, 2830 (1994); G. Gumbs, D. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, and M. C. Holland, Phys. Rev. B 50, 10962 (1994); Y. S. Tang, C. M. Sotomayor Torres, R. A. Kubiak, T. E. Whall, E. H. C. Parker, H. Presting, and H. Kibbel, J. Electron. Mater. 24, 99 (1995).
21. H. Qiang, F. H. Pollak, Y. S. Tang, P. D. Wang, and C. M. Sotomayor Torres, Appl. Phys. Lett. 64, 2830 (1994); G. Gumbs, D. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, and M. C. Holland, Phys. Rev. B 50, 10962 (1994); Y. S. Tang, C. M. Sotomayor Torres, R. A. Kubiak, T. E. Whall, E. H. C. Parker, H. Presting, and H. Kibbel, J. Electron. Mater. 24, 99 (1995).
22. H. Qiang, F. H. Pollak, Y. S. Tang, P. D. Wang, and C. M. Sotomayor Torres, Appl. Phys. Lett. 64, 2830 (1994); G. Gumbs, D. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, P. D. Wang, C. M. Sotomayor Torres, and M. C. Holland, Phys. Rev. B 50, 10962 (1994); Y. S. Tang, C. M. Sotomayor Torres, R. A. Kubiak, T. E. Whall, E. H. C. Parker, H. Presting, and H. Kibbel, J. Electron. Mater. 24, 99 (1995).
23. K. L. Stokes and P. D. Persans, Phys. Rev. B 54, 1892 (1996).
24. See, for example, F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng. R. Rep. 10, 375 (1993); O. J. Glembocki and B. V. Shanabrook, Semiconductors and Semimetals, edited by D. G. Seiler and C. L. Littler (Academic, New York, 1992), Vol. 67, p. 222.
25. See, for example, F. H. Pollak and H. Shen, Mater. Sci. Eng. R. Rep. 10, 375 (1993); O. J. Glembocki and B. V. Shanabrook, Semiconductors and Semimetals, edited by D. G. Seiler and C. L. Littler (Academic, New York, 1992), Vol. 67, p. 222.
26. J. I. Pankove, in Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), p. 39.
27. S. H. Pan, H. Shen, Z. Hang, F. H. Pollak, W. Zhuang, Q. Xu, A. P. Roth, R. Masut, C. LeCelle, and D. Morris, Phys. Rev. B 38, 3375 (1988).
28. R. Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G. C. La Rocca, and K. Ploog, Phys. Rev. B 42, 3209 (1990); O. Brandt, H. Lage, and K. Ploog, ibid. 43, 14285 (1991).
29. R. Cingolani, O. Brandt, L. Tapfer, G. Scamarcio, G. C. La Rocca, and K. Ploog, Phys. Rev. B 42, 3209 (1990); O. Brandt, H. Lage, and K. Ploog, ibid. 43, 14285 (1991).
30. A. Ksendsov, T. George, F. J. Grunthaner, J. K. Liu, D. H. Rich, R. W. Terhune, B. A. Wilson, F. H. Pollak, and Y. S. Huang, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 221, 459 (1991).
31. M. Cardona, K. L. Shaklee, and F. H. Pollak, Phys. Rev. 154, 696 (1967).
32. Y. Yin, D. Yan, F. H. Pollak, M. S. Hybertsen, J. M. Vandenberg, and J. C. Bean, Phys. Rev. B 52, 8951 (1995).
33. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, edited by O. Madelung, M. Schulz, and H. Weiss, Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 17 (Springer, New York, 1982).