Annealing properties of defects in B+- and F+-implanted Si studied using monoenergetic positron beams

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 36, Issue 5 A, 1997, Pages 2571-2580

  Uedono, Akira ^a   Kitano, Tomohisa ^b   Hamada, Kouji ^b   Moriya, Tsuyoshi ^a   Kawano, Takao ^a   Tanigawa, Shoichiro ^a   Suzuki, Ryoichi ^c   Ohdaira, Toshiyuki ^c   Mikado, Tomohisa ^c  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

^c ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

Author keywords

Boron; Defect; Fluorine; Ion implantation; Monoenergetic positron beam; Positron annihilation; Si; Vacancy

Indexed keywords

MONOENERGETIC POSITRON BEAMS; POSITRON ANNIHILATION; RAPID THERMAL ANNEALING (RTA); VACANCY CLUSTERS;

AMORPHOUS MATERIALS; ANNEALING; ATOMS; BORON; CRYSTAL DEFECTS; ELECTRON ENERGY LEVELS; EPITAXIAL GROWTH; FLUORINE; ION BEAMS; ION IMPLANTATION; SILICON WAFERS;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 0031143091     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.36.2571     Document Type: Article

References (42)

1. C. W. Nieh and L. J. Chen: J. Appl. Phys. 60 (1986) 3114.
2. R. G. Wilson: J. Appl. Phys. 54 (1983) 6879.
3. Q. T. Zhao, Z.-L. Wang, Y. Cao, T.-B. Xu and P.-R. Zhu: J. Appl. Phys. 77 (1995) 5014.
4. J. H. Kim, J. Y. Lee, J. C. Paik and H. J. Kim: J. Appl. Fhys. 79 (1996) 7549.
5. S.-P. Jeng, T.-P. Ma, R. Canteri, M. Anderle and G. W. Rubloff: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 1310.
6. S. P. Wang, M. C. Poon, H. L. Kwok and Y. W. Lam: J. Electrochem. Soc. 133 (1986) 2172.
7. M. Fujinami and N. B. Chilton: J. Appl. Phys. 73 (1993) 3242.
8. Cs. Szeles, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, M. Anderle, T. P. Ma and G. W. Rubloff: J. Appl. Phys. 76 (1994) 3403.
9. A. Uedono, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Nagai and K. Umeda: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 6293.
10. R. N. West: Positrons in Solids, ed. P. Hautojärvi (Springer-Verlag, Berlin, 1979) p. 89.
11. P. J. Schultz and K. G. Lynn: Rev. Mod. Phys. 60 (1988) 701.
12. S. Dannefaer: Defect Control in Semiconductors, ed. K. Sumino (Elsevier, North-Holland, 1990) p. 1561.
13. A. Uedono, T. Kitano, M. Watanabe, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira and T. Mikado: Jpn. J. Appl. Phys 35 (1996) 2000.
14. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort and M. R. Ijpma: AIP Conf. Proc. 218 (1990) 171.
15. S. Valkealahti and R. M. Nieminen: Appl. Phys. A 32 (1983) 95.
16. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado and Y. Ohji: J. Appl. Phys. 75 (1994) 3822.
17. D. T. Britton, P. C. Rice-Evans and J. H. Evans: Phil. Mag. Lett. 57 (1988) 165.
18. R. Suzuki, Y. Kobayashi, T. Mikado, H. Ohgaki, M. Chiwaki, T. Yamazaki and T. Tomimasu: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L532.
19. P. Kirkegaard, M. Eldrup, O. E. Mogensen and N. J. Pedersen: Comput. Phys. Commun. 23 (1981) 307.
20. B. Nielsen, K. G. Lynn, D. O. Welch, T. C. Leung and G. W. Rubloff: Phys. Rev. B 40 (1989) 1434.
21. J. P. Biersack and L. G. Haggmark: Nucl. Instrum. & Methods 174 (1980) 257.
22. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi and K. Sumino: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2197.
23. J. W. Corbett, J. P. Karins and T. Y. Tan: Nucl. Instrum. & Methods 182/183 (1981) 457.
24. J. Mäkinen, E. Punkka, A. Vehanen, P. Hautojärvi, J. Keinonen, M. Hutala and E. Rauhara: J. Appl. Phys. 67 (1990) 990.
25. R. D. Goldberg, P. J. Schultz and P. J. Simpson: Appl. Surf. Sci. 85 (1995) 287.
26. A. Uedono, S. Tanigawa, J. Sugiura and M. Ogasawara: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1293.
27. C. G. Van de Walle, F. R. McFeely and S. T. Pantelides: Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 1867.
28. P. Hautojärvi and A. Vehanen: Positrons in Solids, ed. P. Hautojärvi (Springer-Verlag, Berlin, 1979) p. 1.
29. M. A. Shullman, G. M. Beardsley and S. Berko: Appl. Phys. 5 (1975) 367.
30. T. Chiba and T. Akahane: Positron Annihilation, ed. P. C. Jain, R. M. Singru and K. P. Gopinathan (World Scientific, Singapore, 1985) p. 119.
31. M. Saito, A. Oshiyama and S. Tanigawa: Phys. Rev. B 44 (1991) 10601.
32. A. Uedono, Y. Ujihira, A. Ikari, H. Haga and O. Yoda: Hyperfine Interactions 79 (1993) 615.
33. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado, H. Kametani, H. Akiyama, Y. Yamaguchi and M. Koumaru: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3682.
34. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi and K. Sumino: Appl. Surf. Sci. 85 (1995) 280.
35. M. Kwete, D. Segers, M. Drikens, L. Drikens-Vanpraet and P. Clauws: Phys. Status Solidi A 122 (1990) 129.
36. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi and K. Sumino: Mat. Sci. Forum 175-178 (1995) 423.
37. V. Avalos and S. Dannefaer: Phys. Rev. B 54 (1996) 1724.
38. J. Hornstra: Philips Res. Lab. Rep. No. 3497 (1959).
39. T. Abe and M. Kimura: Semiconductor Silicon, ed. H. R. Huff, K. Barrackough and J. Chikawa (Electrochem. Soc., Pennington, 1990) p. 105.
40. A. Uedono, L. Wei, C. Dosho, H. Kondo, S. Tanigawa, J. Sugiura and M. Ogasawara: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 201.
41. A. Uedono, T. Kitano, M. Watanabe, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira and T. Mikado: to be published in Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997).
42. S. Dannefaer, D. Kerr and B. G. Hogg: J. Appl. Phys. 54 (1983) 155.