Fluorine-related defects in BF2+-implanted Si probed by monoenergetic positron beams

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 36, Issue 3 SUPPL. A, 1997, Pages 969-974

  Uedono, Akira ^a   Kitano, Tomohisa ^b   Watanabe, Masahito ^b   Moriya, Tsuyoshi ^a   Komuro, Naoyuki ^a   Kawano, Takao ^a   Tanigawa, Shoichiro ^a   Suzuki, Ryoichi ^c   Ohdaira, Toshiyuki ^c   Mikado, Tomohisa ^c  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

^c ELECTROTECHNICAL LABORATORY   (Japan)

Author keywords

BF2; Defect; Fluorine; Ion implantation; Monoenergetic positron beam; Positron annihilation; Si; Vacancy

Indexed keywords

MONOENERGETIC POSITRON BEAMS; POSITRON ANNIHILATION TECHNIQUES;

ANNEALING; CRYSTAL DEFECTS; DOPPLER EFFECT; EPITAXIAL GROWTH; FLUORINE; SILICON;

ION IMPLANTATION;

EID: 0031101148     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.36.969     Document Type: Article

References (31)

1. R. G. Wilson: J. Appl. Phys. 54 (1983) 6879.
2. C. W. Nieh and L. J. Chen: J. Appl. Phys. 60 (1986) 3114.
3. I.-W. Wu, R. T. Fulks and J. C. Mikkelesen, Jr.: J. Appl. Phys. 60 (1986) 2422.
4. K. Ohyu, T. Itoga and N. Natuaki: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 457.
5. J. W. Corbett, J. P. Karins and T. Y. Tan: Nucl. Instrum. & Methods 182/183 (1981) 457.
6. Semiconductors and Semimetals, Hydrogen in Silicon, eds. J. I. Pankove and N. M. Johnson (Academic Press, San Diego, 1991) Vol. 34.
7. P. J. Schultz and K. G. Lynn: Rev. Mod. Phys. 60 (1988) 701.
8. M. Fujinami and N. B. Chilton: J. Appl. Phys. 73 (1993) 3242.
9. Cs. Szeles, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, M. Anderle, T. P. Ma and G. W. Rubloff: J. Appl. Phys. 76 (1994) 3403.
10. A. Uedono, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Nagai and K. Umeda: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 6293.
11. A. Uedono, Y. Ujihira, A. Ikari, H. Haga and O. Yoda: Hyperfine Interactions 79 (1993) 615.
12. M. Fujiniami: Phys. Rev. B 53 (1996) 13047.
13. R. N. West: Positrons in Solids, ed. P. Hautojärvi (Springer-Verlag, Berlin, 1979) p. 89.
14. S. Dannefaer: Defect Control in Semiconductors, ed. K. Sumino (Elsevier, North-Holland, 1990) p. 1561.
15. A. Uedono, T. Kitano, M. Watanabe, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira and T. Mikado: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2000.
16. A. Uedono, L. Wei, S. Tanigawa, R. Suzuki, H. Ohgaki, T. Mikado, H. Kametani, H. Akiyama, Y. Yamaguchi and M. Koumaru: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3682.
17. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort and M. R. Ijpma: AIP Conf. Proc. 218 (1990) 171.
18. R. Suzuki, Y. Kobayashi, T. Mikado, H. Ohgaki, M. Chiwaki, T. Yamazaki and T. Tomimasu: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L532.
19. P. Kirkegaard, M. Eldrup, O. E. Mogensen and N. J. Pedersen: Comput. Phys. Commun. 23 (1981) 307.
20. A. Uedono, T. Kitano, K. Hamada, T. Moriya, T. Kawano, S. Tanigawa, R. Suzuki, T. Ohdaira and T. Mikado: to be published in Jpn. J. Appl. Phys.
21. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi and K. Sumino: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2197.
22. P. Hautojärvi and A. Vehanen: Positrons in Solids, ed. P. Hautojärvi (Springer-Verlag, Berlin, 1979) p. 1.
23. M. A. Shullman, G. M. Beardsley and S. Berko: Appl. Phys. 5 (1975) 367.
24. T. Chiba and T. Akahane: Positron Annihilation, eds. P. C. Jain, R. M. Singru and K. P. Gopinathan (World Scientific, Singapore, 1985) p. 119.
25. M. Saito, A. Oshiyama and S. Tanigawa: Phys. Rev. B 44 (1991) 10601.
26. A. Uedono, S. Tanigawa, J. Sugiura and M. Ogasawara: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1293.
27. A. Uedono, L. Wei, C. Dosho, H. Kondo, S. Tanigawa, J. Sugiura and M. Ogasawara: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 201.
28. A. Kawasuso, M. Hasegawa, M. Suezawa, S. Yamaguchi and K. Sumino: Appl. Surf. Sci. 85 (1995) 280.
29. C. G. Van de Walle, F. R. McFeely and S. T. Pantelides: Phys. Rev. Lett. 61 (1988) 1867.
30. S. Dannefaer, D. Kerr and B. G. Hogg: J. Appl. Phys. 54 (1983) 155.
31. J. H. Kim, J. Y. Lee, J. C. Paik and H. J. Kim: J. Appl. Phys. 79 (1996) 7549.