Metal-insulator-semiconductor structure on GaAs using a pseudomorphic Si/GaP interlayer

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 15, Issue 2, 1997, Pages 252-258

  Park, Dae Gyu ^a   Mohammad, S Noor ^a   Chen, Zhi ^a   Morkoç, Hadis ^a,b  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITORS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; FREQUENCY RESPONSE; HYSTERESIS; INTERFACES (MATERIALS); MIS DEVICES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING SILICON; THERMODYNAMIC STABILITY;

FREQUENCY DISPERSION; INTERFACE PINNING LEVELS; PSEUDOMORPHIC INTERLAYER; SOLID PHASE ANNEALING;

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES;

EID: 0031097496     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.589274     Document Type: Article

References (35)

1. H. H. Weider, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1331 (1993).
2. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, ibid. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985).
3. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, ibid. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985).
4. X. Wu, E. S. Yang, and H. L. Evans, J. Appl. Phys. 68, 2845 (1990); X. Wu and E. S. Yang, ibid. 65, 3560 (1989); H. L. Evans, X. Wu, E. S. Yang, and P. S. Ho, Appl. Phys. Lett. 46, 486 (1985).
5. E. W. Kreutz and P. Schroll. Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979); J. Lagowski, I. Baltov, and H. C. Gatos, Surf. Sci. 40, 216 (1973).
6. E. W. Kreutz and P. Schroll. Phys. Status Solidi A 53, 499 (1979); J. Lagowski, I. Baltov, and H. C. Gatos, Surf. Sci. 40, 216 (1973).
7. S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, and D. I. Ma, Solid-State Electron. 37, 1695 (1994); C. W. Wilmsen and S. Szpak, Thin Solid Films 46, 17 (1977).
8. S. C. Witczak, M. Gaitan, J. S. Suehle, M. C. Peckerar, and D. I. Ma, Solid-State Electron. 37, 1695 (1994); C. W. Wilmsen and S. Szpak, Thin Solid Films 46, 17 (1977).
9. K. Kakimura and Y. Sakai, Thin Solid Films 56, 215 (1979).
10. H. Becke, R. D. Moore, and J. White, Solid-State Electron. 8, 813 (1965).
11. C. Kaya, T.-P. Ma, and T.-C. Chen, J. Appl. Phys. 64, 3958 (1988).
12. L. Messick, J. Appl. Phys. 47, 5474 (1976).
13. H. Hasegawa, L. He, H. Ohno, T. Sawada, and T. Haga, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1097 (1987): H. Hasegawa, M. Akazawa, H. Ishii, and K. Matsuzaki, ibid. 7, 870 (1989).
14. H. Hasegawa, L. He, H. Ohno, T. Sawada, and T. Haga, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1097 (1987): H. Hasegawa, M. Akazawa, H. Ishii, and K. Matsuzaki, ibid. 7, 870 (1989).
15. Y. H. Jeong, K. H. Choi, and S. K. Jo, IEEE Electron Device Lett. 15, 251 (1994).
16. T. W. Hickmott, P. M. Solomon, R. Fisher, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 57, 2844 (1985).
17. T. Waho and H. Saeki, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 221 (1991).
18. Y. Wada and K. Wada, Appl. Phys. Lett. 63, 379 (1993).
19. Y. Wada and K. Wada, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 3084 (1994).
20. P. P. Jenkins, A. N. Maclnnes, M. Tabib-Azar, and A. R. Barront, Science 263, 1751 (1994).
21. S. Tiwari, S. L. Wright, and J. Batey, IEEE Electron Devices Lett. 9, 488 (1988).
22. D. S. L. Mui, D. Biswas, J. Reed, A. L. Demirel, S. Strite, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 60, 2511 (1992).
23. D. G. Park, M. Tao, K. Suzue, A. E. Botchkarev, J. Reed, Z. Fan, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 150, 1275 (1995); D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996).
24. D. G. Park, M. Tao, K. Suzue, A. E. Botchkarev, J. Reed, Z. Fan, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, J. Cryst. Growth 150, 1275 (1995); D. G. Park, Z. Chen, S. N. Mohammad, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 74, 219 (1996).
25. D. S. L. Mui, Z. Wang and H. Morkoç, Thin Solid Films 231, 107 (1993); J. Reed, M. Tao, D. G. Park, K. Suzue, A. E. Botchkarev, Z. Fan, D. Li, S. N. Mohammad, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, Solid-State Electron. 38, 1351 (1995).
26. D. S. L. Mui, Z. Wang and H. Morkoç, Thin Solid Films 231, 107 (1993); J. Reed, M. Tao, D. G. Park, K. Suzue, A. E. Botchkarev, Z. Fan, D. Li, S. N. Mohammad, S. J. Chey, J. V. Nostrand, D. G. Cahill, and H. Morkoç, Solid-State Electron. 38, 1351 (1995).
27. Z. Chen, D. G. Park, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 69, 230 (1996).
28. D. S. L. Mui, S. F. Fang, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 59, 1887 (1991).
29. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang. S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996).
30. M. Tao, D. G. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
31. K. Adomi, S, Strite, H. Morkoç, Y. Nakamura, and N. Otsuka, J. Appl. Phys. 69, 220 (1991).
32. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982).
33. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
34. Z. Chen, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, Phys. Rev. B 53, 3879 (1995).
35. J. I. Freeouf, D. A. Buchanan, S. L. Wright, T. N. Jackson, and B. Robinson, Appl. Phys. Lett. 57, 1919 (1990).