Initial stages of molecular-beam epitaxy growth of GaN on 6H-SiC(0001)

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 8, 2001, Pages 1080-1082

  Lu, J ^a   Haworth, L ^a   Westwood, D I ^a   Macdonald, J E ^a  

^a CARDIFF UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0013500857     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1350430     Document Type: Article

References (12)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1998 (1991).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
3. J. Lu, L. Haworth, P. Hill, D. I. Westwood, and J. E. Macdonald, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1659 (1999).
4. M. E. Lin, S. Strite, A. Agarwal, A. Salvador, G. L. Zhou, N. Teraguchi, A. Rockett, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 62, 702 (1993).
5. U. Stark, J. Schardt, J. Bernhardt, and K. Heinz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1688 (1999).
6. K. H. Ploog, O. Brandt, H. Yang, B. Yang, and A. Trampert, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2229 (1998).
7. Z. Sitar, L. L. Smith, and R. F. Davis, J. Cryst. Growth 141, 11 (1994).
8. D. Leonard, K. Pond, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 50, 11687 (1994).
9. S. A. Chaparro, Y. Zhang, J. Drucker, D. Chandrasekhar, and D. J. Smith, J. Appl. Phys. 87, 2245 (2000).
10. F. Midmann, B. Daudin, G. Feuillet, Y. Samson, J. L. Rouviére, and N. Pelekanos, J. Appl. Phys. 83, 7618 (1998).
11. S. H. Jones, L. K. Seidel, K. M. Lau, and M. Harold, J. Cryst. Growth 108, 73 (1991).
12. J. L. Weyher, S. Muller, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 182, 17 (1997).