Investigation of the device characteristics of a low-threshold quantum-dot laser emitting at 1.9 μm

Semiconductors

Volumn 32, Issue 7, 1998, Pages 795-797

  Zhukov, A E ^a   Egorov, A Yu ^a   Kovsh, A R ^a   Ustinov, V M ^a   Zaitsev S V ^a   Gordeev, N Yu ^a   Kopchatov, V I ^a   Lunev, A V ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Volovik, B V ^a   Ledentsov, N N ^a   Kop'ev, P S ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0012846674     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187509     Document Type: Article

References (20)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, J. Quantum Electron. 22, 1915 (1986).
3. L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 47, 1099 (1985).
4. D. Leonard, M. Krishnamurthy, L. M. Reaves, S. P. Den Baars, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 63, 3203 (1993).
5. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Böhrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gösele, J. Cryst. Growth 175/176, 689 (1997).
6. Yu. M. Shernyakov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Zaǐtsev, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Chao Chen, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 23, 51 (1997) [Tech. Phys. Lett. 23, 149 (1997)].
7. Yu. M. Shernyakov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Zaǐtsev, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Chao Chen, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 23, 51 (1997) [Tech. Phys. Lett. 23, 149 (1997)].
8. R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 67, 3795 (1995).
9. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, M. V. Maksimov, A. A. Suvorova, N. A. Bert, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 1256 (1997) [Semiconductors 31, 1080 (1997)].
10. V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. F. Tsatsul'nikov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, M. V. Maksimov, A. A. Suvorova, N. A. Bert, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 1256 (1997) [Semiconductors 31, 1080 (1997)].
11. S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Sherniakov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, N. Kirstaedter, and D. Bimberg, Superlattices Microstruct. 21, 559 (1997).
12. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 417, 141 (1996).
13. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. Kobayashi, Phys. Rev. Lett. 75, 2542 (1995).
14. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
15. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Bert, A. O. Kosogov, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1682 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
16. Q. Xie, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 65, 2051 (1994).
17. M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zǎtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, A. Böhrer, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 670 (1997) [Semiconductors 31, 571 (1997)].
18. M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, S. V. Zǎtsev, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, A. O. Kosogov, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, A. Böhrer, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 670 (1997) [Semiconductors 31, 571 (1997)].
19. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, S. V. Zaǐtsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 483 (1997) [Semiconductors 31, 411 (1997)].
20. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, S. V. Zaǐtsev, N. Yu. Gordeev, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 483 (1997) [Semiconductors 31, 411 (1997)].