Arrays of strained InAs quantum dots in an (in Ga)As matrix, grown on InP substrates by molecular-beam epitaxy

Semiconductors

Volumn 31, Issue 10, 1997, Pages 1080-1083

  Ustinov, V M ^a   Zhukov, A E ^a   Tsatsul'nikov, A F ^a   Egorov, A Yu ^a   Kovsh, A R ^a   Maksimov, M V ^a   Suvorova, A A ^a   Bert, N A ^a   Kop'ev, P S ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0043131368     PISSN: 10637826     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1187030     Document Type: Article

References (18)

1. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
2. P. M. Petroff and S. P. DenBaars, Superlattices Microstruct. 15, 15 (1994).
3. J. M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, and O. Vatel, Appl. Phys. Lett. 64, 196 (1994).
4. S. V. Zaitsev, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Sherniakov, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, N. Kirstaedter, and D. Bimberg, in Proceedings of the Ninth International Conference on Superlattices, Microstructures, and Microdevices (Liege, Belgium, 1996).
5. V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. F. Tsatsul'nikov, N. Yu. Gordeev, S. V. Zaitsev, Yu. M. Shernyakov, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A. O. Kosogov, P. Werner, and U. Gosele, J. Cryst. Growth 175 (1997) (in press).
6. Yu. M. Shernyakov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Zaitsev, A. R. Kovsh, I. L. Krestnikov, A. V. Lunev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, Chzhao Czhén', P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, and D. Bimberg, JETP Lett. (in press).
7. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
8. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, Zh. I. Alferov, D. L. Fedorov, and D. Bimberg, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1345 (1996) [Semiconductors 30, 879 (1996)].
9. R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 67, 3795 (1995).
10. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maksimov, N. N. Faleev, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 19 (1997) [Semiconductors 31, 15 (1997)].
11. A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, A. F. Tsatsul'nikov, M. V. Maksimov, N. N. Faleev, and P. S. Kop'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 31, 19 (1997) [Semiconductors 31, 15 (1997)].
12. S. Fafard, Z. Wasilewski, J. McCaffrey, S. Raymond, and S. Charbonneau, Appl. Phys. Lett. 68, 991 (1996).
13. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
14. A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1439 (1994) [Semiconductors 28, 809 (1994)].
15. S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Inst. Phys. Conf. Ser., No. 146, 31 (1995).
16. E. Tounic, O. Brandt, and K. Ploog, Semicond. Sci. Technol. 8, S236 (1993).
17. A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, V. V. Komin, I. V. Kochnev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1793 (1996) [Semiconductors 30, 938 (1996)].
18. A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, V. V. Komin, I. V. Kochnev, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 30, 1793 (1996) [Semiconductors 30, 938 (1996)].