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Volumn 148, Issue 8, 2001, Pages

X-Ray Synchrotron Topography Investigation of Porous Silicon Formed by Patterning in Localized Areas

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EID: 0010171166     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1385380     Document Type: Article
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    • Private communication
    • S. Solmi. Private communication.
    • Solmi, S.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.