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Volumn 82, Issue 5, 1997, Pages 2378-2382

Growth and characterizations of GaN on SiC substrates with buffer layers

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EID: 0009703098     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.366048     Document Type: Article
Times cited : (31)

References (19)
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    • 85033168483 scopus 로고    scopus 로고
    • Cree Research Inc., 2810 Meridian Pkwy., Durham, NC 27713
    • Cree Research Inc., 2810 Meridian Pkwy., Durham, NC 27713.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.