Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in p-type Si δ-doped layers

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 61, Issue 20, 2000, Pages 13923-13928

  Frizzarini, M ^a   da Silva, E ^a   Quivy, A ^a   Cavalheiro, A ^a   Leite, J ^a   Meneses, E ^b  

^a UNIVERSITY OF SÃO PAULO   (Brazil)

^b UNIVERSITY OF CAMPINAS   (Brazil)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005600923     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.61.13923     Document Type: Article

References (23)

1. For a recent and complete review, see Delta-doping of Semiconductors, edited by E. F. Schubert (Cambridge University Press, Cambridge, 1996).
2. C. H. Perry, K. S. Lee, W. Zhou, J. M. Worlock, A. Zrener, F. Koch, and K. Ploog, Surf. Sci. 196, 677 (1988).
3. A. Levine, E. C. F. da Silva, G. M. Sipahi, A. A. Quivy, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, I. F. L. Dias, E. Lauretto, J. B. B. de Oliveira, E. A. Meneses, and A. G. Oliveira, Phys. Rev. B 59, 4634 (1999).
4. I. A. Buyanova, W. M. Chen, A. Henry, W.-X Ni, G. V. Hansson, and B. Monemar, Phys. Rev. B 53, 9587 (1996).
5. X. Zheng, T. K. Carns, K. L. Wang, and B. Wu, Appl. Phys. Lett. 62, 504 (1993).
6. V. L. Gurtovoi, V. V. Valyaev, S. Yu. Shapoval, and A. N. Pustovit, Appl. Phys. Lett. 72, 1202 (1998).
7. S. M. Shibli, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, C. A. C. Mendonça, F. Plentz, and E. A. Meneses, Appl. Phys. Lett. 60, 2895 (1992).
8. L. P. Sadwick, E. H. Reihlen, D. H. Jaw, R. J. Hwu, and D. C. Streit, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 120 (1993).
9. A. J. Dewdney, S. Holmes, H. Yu, M. Fahy, and R. Murray, Superlattices Microstruct. 14, 205 (1993).
10. M. L. Ke, J. S. Rimmer, B. Hamilton, M. Missous, B. Khamsehpour, J. H. Evans, K. E. Singer, and P. Zalm, Surf. Sci. 267, 65 (1992).
11. P. L. Sousa, B. Yavich, M. Pamplona-Pires, A. B. Henriques, and L. C. D. Gonçalvez, J. Appl. Phys. 82, 1700 (1997).
12. H.-J Gossmann and F. C. Unterwald, Phys. Rev. B 47, 12 618 (1993).
13. A. B. Henriques, L. C. D. Gonçalves, N. F. Oliveira, Jr., P. L. Souza, and B. Yavich, Phys. Rev. B 55, 13 072 (1997).
14. C. A. C. Mendonça, F. Plentz, J. B. B. Oliveira, E. A. Meneses, L. M. R. Scolfaro, D. Beliaev, S. M. Shibli, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 48, 12 316 (1993).
15. L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, C. A. C. Mendonça, D. Beliaev, S. M. Shibli, E. C. F. da Silva, and E. A. Meneses, Mater. Sci. Forum 143-147, 669 (1994).
16. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, J. R. Leite, E. C. F. da Silva, and A. Levine, Phys. Rev. B 57, 9168 (1998).
17. G. M. Sipahi, R. Enderlein, L. M. R. Scolfaro, and J. R. Leite, Phys. Rev. B 53, 9930 (1996).
18. L. E. Ramos, G. M. Sipahi, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein, and J. R. Leite, Superlattices Microstruct. 22, 443 (1997).
19. L. M. Gaggero-Sager and R. Perez-Alvarez, Appl. Phys. Lett. 70, 212 (1997).
20. K. Agawa, K. Hirakawa, N. Sakamoto, Y. Hashimoto, and T. Ikoma, Appl. Phys. Lett. 65, 1171 (1994).
21. A. A. Quivy, M. Frizzarini, E. C. F. da Silva, A. L. Sperandio, and J. R. Leite, Braz. J. Phys. 27/A, 125 (1997).
22. M. Ilegens, in The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy, edited by E. H. C. Parker (Plenum Press, New York, 1985), p. 98.
23. Models for ionized impurity scattering were reviewed by D. Chattopadhyay and H. J. Queisser, Rev. Mod. Phys. 53, 745 (1981).