Electron mobility enhancement in strained SiGe vertical n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 3, 2001, Pages 377-379

  Chen, Xiangdong ^a   Liu, Kou Chen ^a   Jayanarayanan, Sankaran Kartik ^a   Banerjee, Sanjay ^a  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005335421     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1342038     Document Type: Article

References (13)

1. K. L. Wang, S. G. Thomas, and M. O. Tanner, J. Mater. Sci. 6, 311 (1995).
2. S. Verdonckt-Vandebroek, E. F. Crabbe, B. S. Meyerson, D. L. Harame, P. J. Restle, J. M. C. Stork, and J. B. Johnson, IEEE Trans. Electron Devices 41, 90 (1994).
3. R. J. P. Lander, C. J. Emeleus, B. M. McGregor, E. H. C. Parker, T. E. Whall, A. G. R. Evans, and G. P. Kennedy, J. Appl. Phys. 182, 5210 (1997).
4. K. C. Liu, S. K. Ray, S. K. Oswal, and S. K. Banerjee, IEEE Electron Device Lett. 19, 13 (1998).
5. J. M. Hinckley, V. Sankaran, and J. Singh, Appl. Phys. Lett. 55, 2008 (1989).
6. K. Ismail, B. S. Meyerson, S. Rishton, J. Chu, S. Nelson, and L. Nocera, IEEE Electron Device Lett. 13, 229 (1992).
7. C. K. Maiti, L. K. Bera, and S. Chattopadhyay, Semicond. Sci. Technol. 13, 1225 (1998).
8. G. F. Formicone, D. Vasileska, and D. K. Ferry, Solid-State Electron. 41, 879 (1997).
9. J. B. Roldan, F. Gamiz, J. A. Lopez-Villanueva, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 80, 5121 (1996).
10. J. H. Li, V. Holy, G. Bauer, and F. Schaffler, J. Appl. Phys. 82, 2881 (1997).
11. Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, G. P. Watson, and P. J. Silverman, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2372 (1994).
12. D. K. Nayak, K. Goto, A. Yutani, J. Murota, and Y. Shiraki, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1709 (1996).
13. M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996).